晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,100mA / 500mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 175MHz,340MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-963 | 供应商器件封装 | SOT-963 |
引言
DST847BPDP6-7 是一款高性能的 NPN 和 PNP 组合晶体管,专为低功耗、快速开关和高频应用而设计。其出色的电气性能与紧凑的 SOT-963 封装,使其成为各种电子设备的理想选择。本文将详细介绍其基础参数、性能优势及潜在应用场景。
技术规格
类型:DST847BPDP6-7 支持 NPN 和 PNP 晶体管的应用,提供灵活的设计选项;
电流 - 集电极(Ic):最大输出电流为 100mA,适合多种负载条件下的应用;
电压 - 集射极击穿(Vce):该型号的最大击穿电压为 45V,这使得它能够在高电压环境下运行而不发生失效;
饱和压降(Vce(sat)):在 5mA 和 100mA 的工作条件下,NPN 结构的饱和压降为 300mV,而 PNP 结构的饱和压降为 500mV,这使得它在开关状态下具有较低的能量损耗;
截止电流(ICBO):集电极截止电流最大值为 15nA,这表明在关断状态下的泄漏电流极小,有助于提高稳定性;
直流电流增益(hFE):在 2mA 电流下,最小直流电流增益为 200,这意味着其开关能力强,能够在低输入电流条件下控制较高输出电流;
功率(P):最大功率为 250mW,适合一般的低功耗电子应用;
频率 - 跃迁:该晶体管具有 175MHz 和 340MHz 的跃迁频率,支持快速开关和高频信号处理;
工作温度:其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保在极端环境条件下的可靠性;
封装:采用 SOT-963 表面贴装封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
性能优势
DST847BPDP6-7 的设计充分考虑了现代电子设备对高效能和可靠性的需求。其低饱和压降和高电流增益使其在开关操作中表现出色,适合用于驱动负载和信号放大。高达 340MHz 的跃迁频率使得该器件可以在高频通信和快速开关应用中得到广泛应用。此外,宽广的工作温度范围和低截止电流特性提升了其在恶劣环境下的可靠性。
应用场景
DST847BPDP6-7 可广泛应用于:
电源开关:由于其低饱和压降和良好的电流处理能力,非常适合用作电源管理电路中的开关元件;
信号放大:其高电流增益和宽频率响应使其成为信号放大器的理想选择,应用于音频放大、射频放大等领域;
开关电路:可用于各类开关电路设计中,包括继电器驱动、LED 驱动等;
通信设备:其高频性能使其适合在无线通信、电视信号处理等场合中使用;
汽车电子:能够承受的宽温度范围使其在汽车电子系统中得到优良表现,适合用作传感器信号放大和执行器驱动。
总结
DST847BPDP6-7 是一款多功能、高性能的 NPN/PNP 三极管,结合了优秀的电气特性和极高的可靠性。无论是在消费电子还是工业应用中,它都展示出了广泛的适用性。随着电子技术的发展,对高性能元器件的需求只会增加,DST847BPDP6-7 将是未来电子设计中的一款重要元件。选用该晶体管将为您的电路设计带来更高的稳定性和更优的性能。