DMN33D8LT-7
DMN33D8LT-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .55nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 48pF @ 5V |
| 功率耗散（最大值） | 240mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
DMN33D8LT-7手册
DMN33D8LT-7概述
DMN33D8LT-7 产品概述
一、产品介绍
DMN33D8LT-7 是由 DIODES（美台）公司推出的一款 N 通道 MOSFET（场效应管），它采用了现代金属氧化物半导体技术，具有优越的电性能和可靠性。该器件广泛应用于各类电子设备中，包括功率管理、开关电源、马达驱动和信号调理等场合。
二、基本参数
- FET 类型： N 通道
- 技术： MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）： 30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 115mA
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 欧姆 @ 10mA，4V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V @ 100µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.55nC @ 10V
- Vgs（最大值）： ±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 48pF @ 5V
- 功率耗散（最大值）： 240mW
- 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
- 安装类型： 表面贴装型
- 器件封装： SOT-523
三、性能特点
高效能: DMN33D8LT-7 的导通电阻仅为最大值 5 欧姆，保证了在较高电流条件下的低损耗和高效率，这使其成为开关电源及其他电源管理应用的理想选择。
宽工作温度范围: 产品能够在 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定工作，极大地增强了其在恶劣环境下的可靠性和适用性。
低栅极电荷: 频率响应能力较好，最大栅极电荷仅为 0.55nC @ 10V，适合高频开关应用，能提高开关速度，减少开关损耗。
小型化封装: SOT-523 封装使得 DMN33D8LT-7 在微型电路中占用极小的空间，满足了现代电子设备小型化的需求。
四、应用领域
DMN33D8LT-7 的众多特性使其非常适合于以下应用领域：
电源管理: 其低导通电阻和高效率使其成为开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压电源中的理想选择。
马达控制: 由于其出色的开关性能和可靠性，DMN33D8LT-7 适合用于电机驱动电路，尤其是在步进电机和直流电机驱动中。
信号开关: 该 MOSFET 的高输入阻抗和快速开关能力，使其在音频和视频信号的切换中表现优秀。
便携设备: 由于产品的低功耗特性，DMN33D8LT-7 也非常适用于移动设备和便携式电子产品。
五、总结
DMN33D8LT-7 是一款高性能且高可靠性的 N 通道 MOSFET，完美结合了小型封装和强大的电气性能，非常适合多种应用场合，特别是在对体积、功率及热管理有严格要求的现代电子产品中。凭借其高效能、低能耗和耐高温特性，DMN33D8LT-7 可以为设计工程师提供极大的设计灵活性与适应性，进一步提升产品的市场竞争力。选择 DMN33D8LT-7，助力您在电子设计上的成功与创新。