MMBZ5252BW-7-F
MMBZ5252BW-7-F参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 24V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 18V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
MMBZ5252BW-7-F手册
MMBZ5252BW-7-F概述
产品概述：MMBZ5252BW-7-F
一、引言
MMBZ5252BW-7-F 是一款由知名电子元器件供应商 DIODES（美台）生产的齐纳二极管，设计用于稳压应用。其主要特点包括较高的稳压精度、适宜的功率范围以及优良的热稳定性，广泛应用于各类电子电路中，以确保电压稳定性和系统的可靠性。
二、基本参数
齐纳电压（Vz）: MMBZ5252BW-7-F 的标称齐纳电压为 24V，具有 ±5% 的容差，能够有效地满足大多数应用对稳压特性的需求。
最大功率: 该器件的最大功率为 200mW，适合大多数低功率电路的稳压需求，有助于延长设备的使用寿命。
阻抗（Zzt）: 最大阻抗值为 33Ω，优良的动态响应特性为信号提供了良好的稳定性，确保输出电压在负载变化时维持稳定。
反向泄漏电流: 在 18V 时的反向泄漏电流为 100nA，表明即使在高电压条件下，该二极管的功耗极低，适合用于低功耗的电子设备。
正向电压（Vf）: 在 10mA 的条件下，正向电压为 900mV，确保二极管在正向偏置时具有适度的导通电压，大大降低了功耗。
工作温度范围: MMBZ5252BW-7-F 具有较宽的工作温度范围，从 -65°C 到 150°C，能够在各种严酷环境下正常工作，适合用于工业、汽车和消费电子等多种领域。
三、封装与安装
封装类型: MMBZ5252BW-7-F 采用 SOT-323 封装，具有小型化和表面贴装的特点，使其特别适合于高密度电路板的设计。
尺寸: SOT-323 封装的紧凑设计能够节省 PCB 空间，减少元器件间的干扰，提高整体系统的可靠性和性能。
四、应用领域
MMBZ5252BW-7-F 齐纳二极管广泛应用于各种电子设备和电路中，主要包括但不限于以下几个方面：
电源管理: 在开关电源、线性稳压器和电压监测电路中，用于提供精确的参考电压，保证电源输出的稳定性能。
过压保护: 在敏感电子元器件上，作为过压保护装置使用，防止因电压瞬变而过载导致的损坏。
信号整形: 作为信号整形电路中的关键元件，帮助限制信号的电压峰值，确保信号在特定的范围内稳定传输。
汽车电子: 适用于汽车电气系统，能够承受较高的工作温度，并在极端环境下保持良好的性能表现。
五、总结
MMBZ5252BW-7-F 齐纳二极管凭借其优秀的特性和适应性，在多个行业中展现出强大的竞争力。无论是在电源管理、过压保护还是信号整形方面，其都以高效、可靠的表现赢得了市场的广泛认可。凭借 DIODES 的强大品牌和质量保障，MMBZ5252BW-7-F 无疑是设计工程师在选择稳压二极管时的理想选择。