BSS126H6327 产品实物图片
BSS126H6327 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS126H6327

商品编码: BM0000738039
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SOT23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSS126H6327 SOT-23-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.53
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.53
--
100+
¥1.18
--
750+
¥0.975
--
1500+
¥0.887
--
3000+
¥0.814
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS126H6327参数

功率(Pd)500mW反向传输电容(Crss@Vds)1.5pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700Ω@10V,16mA
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)2.1nC@5V
漏源电压(Vdss)600V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)28pF@3V连续漏极电流(Id)21mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@8uA

BSS126H6327手册

empty-page
无数据

BSS126H6327概述

BSS126H6327 产品概述

基本介绍

BSS126H6327 是由英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道场效应管(MOSFET),其采用PG-SOT23-3封装。这款MOSFET的设计主要用于高效的电源管理和开关应用,因其优良的电气特性而广泛应用于消费电子、工业控制和自动化等领域。

主要特点

  1. 低导通阻抗: BSS126H6327提供非常低的导通阻抗(RDS(on)),使其在高电流情况下能够显著降低功耗。这一特点使得该产品在要求高效率的电源管理电路中表现出色,能够有效延长电池使用寿命。

  2. 快速开关速度: 该MOSFET具备较快的开关速度,这对于高速开关应用来说至关重要。使用BSS126H6327,可以在减少开关损耗的同时提高电路的工作频率,适用于各种高频开关电源(SMPS)及其他切换应用。

  3. 耐压能力: BSS126H6327具有较高的耐压(VDS),使其能够在各种严苛工作环境中可靠运行,并提供额外的安全余量。这一特性对于稳定性要求较高的应用至关重要。

  4. 小巧的封装设计: 采用PG-SOT23-3封装,BSS126H6327在尺寸上非常紧凑。其小巧的外形使其适用于空间有限的电子产品,简化电路布局,并帮助制造更轻薄的设备。

应用领域

BSS126H6327广泛应用于多个领域,主要包括但不限于:

  • 电源管理:在DC-DC转换器、线性稳压器和蓄电池管理系统中,作为开关元件实现高效的电源转换。
  • 消费电子:适用于手机、平板电脑及其他便携式设备中的电源管理和开关应用。
  • 工业控制:在机械控制系统和自动化设备中作为驱动电路的一部分,提供高效的开关控制。
  • 汽车电子:可用于汽车的电源系统和各类传感器接口,提升系统可靠性与性能。

工程设计注意事项

在实际应用BSS126H6327时,设计工程师应考虑以下几点:

  • 热管理:尽管BSS126H6327具备较低的导通阻抗和出色的热特性,但在高电流工作情况下仍需注意热量的散发,适当选用散热方案。
  • 驱动电压:确保控制信号的电压能有效驱动MOSFET的栅极,保证其快速开关和低导通状态。
  • 布局设计:在PCB布局设计中,尽量缩短MOSFET的引线长度,以减少引线电感和提高开关性能。

结论

BSS126H6327 是一款性能优异的N沟道MOSFET,凭借其低导通阻抗、快速开关特性和高耐压能力,成为现代电子设备中不可或缺的元器件之一。其小巧的封装设计使其在便携式电子产品中尤为受到青睐,适用范围广泛,满足了多种应用场景的需求。随着科技的发展,对高效电源管理和开关解决方案的需求不断增加,BSS126H6327在未来的电子产品中仍将发挥重要作用。