功率(Pd) | 500mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 1.5pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 700Ω@10V,16mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.1nC@5V |
漏源电压(Vdss) | 600V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 28pF@3V | 连续漏极电流(Id) | 21mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@8uA |
BSS126H6327 是由英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道场效应管(MOSFET),其采用PG-SOT23-3封装。这款MOSFET的设计主要用于高效的电源管理和开关应用,因其优良的电气特性而广泛应用于消费电子、工业控制和自动化等领域。
低导通阻抗: BSS126H6327提供非常低的导通阻抗(RDS(on)),使其在高电流情况下能够显著降低功耗。这一特点使得该产品在要求高效率的电源管理电路中表现出色,能够有效延长电池使用寿命。
快速开关速度: 该MOSFET具备较快的开关速度,这对于高速开关应用来说至关重要。使用BSS126H6327,可以在减少开关损耗的同时提高电路的工作频率,适用于各种高频开关电源(SMPS)及其他切换应用。
耐压能力: BSS126H6327具有较高的耐压(VDS),使其能够在各种严苛工作环境中可靠运行,并提供额外的安全余量。这一特性对于稳定性要求较高的应用至关重要。
小巧的封装设计: 采用PG-SOT23-3封装,BSS126H6327在尺寸上非常紧凑。其小巧的外形使其适用于空间有限的电子产品,简化电路布局,并帮助制造更轻薄的设备。
BSS126H6327广泛应用于多个领域,主要包括但不限于:
在实际应用BSS126H6327时,设计工程师应考虑以下几点:
BSS126H6327 是一款性能优异的N沟道MOSFET,凭借其低导通阻抗、快速开关特性和高耐压能力,成为现代电子设备中不可或缺的元器件之一。其小巧的封装设计使其在便携式电子产品中尤为受到青睐,适用范围广泛,满足了多种应用场景的需求。随着科技的发展,对高效电源管理和开关解决方案的需求不断增加,BSS126H6327在未来的电子产品中仍将发挥重要作用。