晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V |
功率 - 最大值 | 2W | 频率 - 跃迁 | 150MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
产品概述:BCP5310TA PNP三极管
概述: BCP5310TA是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),特别适合用于各种低功耗、快速开关应用。该器件的主要特性包括1A的集电极电流能力、80V的集射极击穿电压以及高达150MHz的频率特性,使其在现代电子设计中具有广泛应用的潜力。BCP5310TA采用表面贴装封装(SOT-223),便于自动化焊接和高密度布局。
关键特性:
应用领域: BCP5310TA的特性使其适用于多种电子设备和电路,包括但不限于:
结论: 作为一款PNP型双极性晶体管,BCP5310TA凭借其优越的电气特性和可靠的工作表现,已经成为众多电子设计中的优选器件。其广泛的应用场景和稳定的性能,使其在现代电子产品中扮演着不可或缺的角色。此外,结合DIODES公司的高品质制造工艺,BCP5310TA的可靠性和一致性也得到了充分保障,进一步提升了其市场竞争力。对于设计师而言,选择BCP5310TA将能够优化电路性能,满足多样化的设计需求。