DMC3730UVT-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMC3730UVT-7

商品编码: BM0000737973
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
TSOT26
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 700mW 25V 680mA;460mA 1个N沟道+1个P沟道 TSOT-26
库存 :
2500(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.615
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.615
--
200+
¥0.424
--
1500+
¥0.385
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC3730UVT-7参数

FET 类型N 和 P 沟道互补型FET 功能标准
漏源电压(Vdss)25V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)680mA(Ta),460mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)450 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1.64nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50pF @ 10V,63pF @ 10V
功率 - 最大值700mW工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装TSOT-26

DMC3730UVT-7手册

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DMC3730UVT-7概述

DMC3730UVT-7 产品概述

DMC3730UVT-7 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),极其适合于各种电源管理和开关应用。该器件由DIODES(美台)公司制造,采用TSOT-26封装,具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适合在恶劣环境中使用。

1. 主要特性

  • FET 类型: 本产品包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET,能够实现良好的互补工作,有效降低电路的复杂性。
  • 漏源电压 (Vdss): 额定电压为25V,使其在多种低压应用中表现出色。
  • 连续漏极电流 (Id): 该器件的最大连续漏极电流分别为680mA(Ta=25°C)和460mA(Ta=175°C),说明其在高温环境下仍有良好的稳定性。
  • 导通电阻: 在500mA、Vgs为4.5V下,最大导通电阻为450毫欧,这使得其在开关状态下能够有效降低功耗并提高效率。
  • 工作温度范围: 该器件能够在-55°C至175°C的温度范围内正常工作,适应各种极端条件,彰显出良好的热稳定性。

2. 电气性能

DMC3730UVT-7 MOSFET的输入电容 (Ciss) 在10V的情况下最大为50pF,这意味着其输入特性良好,有助于提高开关速度和降低驱动损耗。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为1.64nC(@4.5V),在快速开关时可降低总开关损耗,从而提高整体系统性能。

其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为1.1V(@250µA),表明该FET在低电压下也能较快导通,适合于要求快速响应的电路设计。

3. 封装和安装

DMC3730UVT-7采用TSOT-26封装,这种细型表面贴装设计不仅节省电路板空间,而且简化了自动化组装过程。该封装适合高密度布局,有助于设计出紧凑、高效的电路。

4. 应用场景

凭借其高度的可靠性和优秀的电气特性,DMC3730UVT-7非常适合用于以下领域:

  • 电源管理: 作为开关元件在直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电池管理系统中使用。
  • 负载开关: 用于快速切换和控制电源供应,尤其在便捷电子设备和消费类电子中广泛应用。
  • 信号开关: 当信号需在不同路径之间切换时,DMC3730UVT-7可有效保持信号完整性。
  • 厂商与工业设备: 对于温度变化幅度较大的环境,该器件可助力设备保持稳定操作。

总结

DMC3730UVT-7是一款结合了高效能、广泛应用和稳定性的先进MOSFET,其出色的电气和热性能使其成为电源管理和信号控制的理想选择。无论是使用在个人电子设备还是在工业应用中,此款器件均展现出卓越的性能,满足专业设计及市场需求。凭借DIODES公司的品牌信誉和强大的技术支持,DMC3730UVT-7极具市场竞争力,吸引了众多电子工程师的关注和应用。