FET 类型 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 680mA(Ta),460mA(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 450 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.64nC @ 4.5V,1.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V,63pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 700mW | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
DMC3730UVT-7 是一款高性能的互补型场效应管(MOSFET),极其适合于各种电源管理和开关应用。该器件由DIODES(美台)公司制造,采用TSOT-26封装,具有出色的电气特性和宽广的工作温度范围,适合在恶劣环境中使用。
DMC3730UVT-7 MOSFET的输入电容 (Ciss) 在10V的情况下最大为50pF,这意味着其输入特性良好,有助于提高开关速度和降低驱动损耗。此外,栅极电荷 (Qg) 最大为1.64nC(@4.5V),在快速开关时可降低总开关损耗,从而提高整体系统性能。
其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为1.1V(@250µA),表明该FET在低电压下也能较快导通,适合于要求快速响应的电路设计。
DMC3730UVT-7采用TSOT-26封装,这种细型表面贴装设计不仅节省电路板空间,而且简化了自动化组装过程。该封装适合高密度布局,有助于设计出紧凑、高效的电路。
凭借其高度的可靠性和优秀的电气特性,DMC3730UVT-7非常适合用于以下领域:
DMC3730UVT-7是一款结合了高效能、广泛应用和稳定性的先进MOSFET,其出色的电气和热性能使其成为电源管理和信号控制的理想选择。无论是使用在个人电子设备还是在工业应用中,此款器件均展现出卓越的性能,满足专业设计及市场需求。凭借DIODES公司的品牌信誉和强大的技术支持,DMC3730UVT-7极具市场竞争力,吸引了众多电子工程师的关注和应用。