MMBD301LT1G
MMBD301LT1G参数
| 二极管类型 | 肖特基 - 单 | 电压 - 峰值反向（最大值） | 30V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 1.5pF @ 15V，1MHz | 功率耗散（最大值） | 200mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C（TJ） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
MMBD301LT1G手册
MMBD301LT1G概述
MMBD301LT1G 产品概述
一、产品简介
MMBD301LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款肖特基二极管，该器件采用 SOT-23-3（TO-236）封装，具有优异的电气性能和广泛的应用范围。作为一种高效能的单极肖特基二极管，MMBD301LT1G 在设计中充分考虑了低正向压降、快速恢复时间等特性，使得其在大多数应用中都能够表现出色。
二、技术参数
- 二极管类型：肖特基 - 单
- 最大峰值反向电压（VR）：30V
- 正向电压降（VF）：450mV @ 1mA
- 最大正向电流（IF）：200mA
- 不同 VR 和频率下的电容：1.5pF @ 15V，1MHz
- 最大功率耗散：200mW
- 工作温度范围：-55°C 至 125°C（TJ）
- 封装类型：SOT-23-3（TO-236）
三、产品特性
低正向压降：MMBD301LT1G 提供低至 450mV 的正向电压降，意味着在工作时功耗显著降低，这对于电源管理和功耗敏感型应用至关重要。
高峰值反向电压：该器件的峰值反向电压可达 30V，确保它能够安全地处理大多数电源电压，且可有效防止反向电压损害。
快速切换特性：肖特基二极管以其快速的切换时间在高频应用中表现优越，能够快速响应于输入信号的变化，有助于提升电路的整体性能。
小封装设计：SOT-23-3 封装小巧，适合空间受限的电路板设计，且易于自动插装，便于大规模生产。
广泛的工作温度范围：工作温度范围从 -55°C 到 125°C，MMBD301LT1G 适用于各种环境条件，保证在极端环境下的可靠性和稳定性。
四、应用场景
MMBD301LT1G 作为一款高性能肖特基二极管，广泛应用于多个领域：
电源管理：由于其低正向压降和高反向电压，广泛应用于开关电源、线性电源以及电池充电器等电源管理电路中。
电压整流：适合用于直流整流电路中，将交流电转换为直流电，特别适用于高频整流场合。
信号整形：在信号处理中用作整形二极管，可改善信号波形，移除不必要的干扰。
保护电路：在过压保护、反向保护中表现良好，确保电路的安全与可靠。
RF 应用：由于其低电容，适合作为射频（RF）电路中的解调器，适用于无线通信设备的高频信号处理。
五、总结
整体来看，MMBD301LT1G 是一款多功能的肖特基二极管，以其出色的电气特性和适应能力，成为多种电子应用中的理想选择。无论是在电源管理、信号处理，还是在保护电路中，这款二极管都能提供卓越的性能，满足现代电子设备日益增长的复杂需求。安森美的 MMBD301LT1G 以其优良的可靠性和性能，持续为客户提供高效、稳定的解决方案，使其在众多电子元件中脱颖而出。