IPG20N06S4L-26 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPG20N06S4L-26

商品编码: BM0000737570
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.467g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 33W 60V 20A 2个N沟道 TDSON-8-4
库存 :
9791(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
3.85
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.85
--
100+
¥3.22
--
1250+
¥2.97
--
2500+
¥2.84
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IPG20N06S4L-26参数

功率(Pd)33W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@10V,17A漏源电压(Vdss)60V
类型2个N沟道连续漏极电流(Id)20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@10uA

IPG20N06S4L-26手册

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IPG20N06S4L-26概述

产品概述:IPG20N06S4L-26

一、产品背景

在现代电子应用中,对高效电源转换和控制的需求日益增强,尤其是在电动汽车、工业自动化、可再生能源、计算机电源以及消费电子等领域,场效应管(MOSFET)作为一种重要的开关元件,越来越受到工程师和设计师的青睐。IPG20N06S4L-26是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,具有优异的电气特性和热性能,适用于多种高功率和高频率的应用场景。

二、基本规格

  • 类型:N沟道MOSFET
  • 最大漏极-源极电压(Vds):60V
  • 最大连续漏极电流(Id):20A
  • 功率耗散:33W
  • 封装形式:PG-TDSON-8
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C
  • 开关速度:高达数百千赫兹
  • RDS(on):超低导通电阻,改善功率损耗

三、性能特点

  1. 高电流承载能力:IPG20N06S4L-26的最大连续漏极电流可达到20A,因此特别适合高功率应用,如DC-DC变换器、电动机驱动等等。

  2. 低导通电阻:其优异的RDS(on)值可大幅降低在导通状态时的功率损耗,提高整体电源效率,特别是在高频开关电源中尤为重要。

  3. 高耐压能力:60V的耐压能力使得该器件适用于多种中等电压的电力转换和驱动应用,提供更高的设计灵活性。

  4. 热管理能力:其封装采用了PG-TDSON-8设计,优秀的热性能能够有效地管理发热,提高系统的稳定性和可靠性。

  5. 开关特性优越:具备优秀的开关性能,能够在极短的时间内完成导通和截止切换,适合于高频应用。

  6. 可可靠性:英飞凌作为全球领先的工业半导体制造商,产品在可靠性和长期使用方面得到了严格的质量验证。

四、应用领域

IPG20N06S4L-26的应用场景广泛,主要包括但不限于:

  1. 电源管理:广泛用于高效的DC-DC变换器,如电源适配器、蓄电池充电器等,提升能量转换效率。

  2. 电机驱动:在电池供电的电动机控制中,MOSFET可以高频切换来调节电动机的功率输出,适用于电动工具、电动自行车等。

  3. 工业自动化:在伺服控制和工业机器人中使用,负责精确的电源切换和控制,提高设备的响应速度。

  4. 可再生能源:在太阳能逆变器和风能变换系统中,MOSFET负责将收集的能源高效转换为电网电源。

  5. 消费电子:在智能手机、平板电脑等便携设备中的功率管理系统中发挥作用,提升电池使用效率。

五、总结

IPG20N06S4L-26是一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其出色的电性能和适应广泛的应用场景,成为设计师构建高效电源系统的可靠选择。其稳健的品质、优异的导电特性和良好的热管理能力,确保了在各种环境下的稳定运行。随着电子设备对功率效率和散热性能的不断追求,IPG20N06S4L-26无疑将在电源管理、电机驱动及其它高功率应用中发挥重要作用。