IRF7476TRPBF
IRF7476TRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 停產 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 15A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2550pF @ 6V |
IRF7476TRPBF手册
IRF7476TRPBF概述
IRF7476TRPBF 产品概述
基本信息 IRF7476TRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），属于HEXFET®系列。该器件采用表面贴装（SMD）封装，具体封装类型为SO-8（8引脚小型封装），适合用于空间受限的电路设计。该器件已停产，但由于其卓越的电气性能和广泛的应用场景，依然吸引了许多工程师的关注。
主要参数 IRF7476TRPBF的主要电气参数包括：
- 连续漏极电流 (Id)：15A（在25°C环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C至150°C，适合在极端环境条件下使用
- 漏源电压 (Vdss)：12V，以确保在多种应用中的安全性和稳定性
- 导通电阻：最大8毫欧（在15A，4.5V条件下）保证低功耗损耗和高效率
- 驱动电压 (Vgs)：2.8V至4.5V，极大提高了其驱动灵活性与兼容性
这些参数表明，IRF7476TRPBF适用于各种需要低电压大电流开关或放大器的应用场合，例如电源管理、马达驱动和开关模式电源（SMPS）等。
电气性能 IRF7476TRPBF MOSFET在工作过程中的表现优异，其栅极电流（Qg）在驱动电压为4.5V时，最大值为40nC，显示出良好的开关响应速度。此外，输入电容（Ciss）为2550pF，意味着在高频应用中其开关损耗较低，能够提升整体电路效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为1.9V，能够支持低电压控制信号操作，适合微控制器或数字电路直接驱动。相应地，最大栅源电压（Vgs）为±12V，增加了设备的安全性和抗干扰能力。
散热与功率管理 在功率处理方面，IRF7476TRPBF的最大功耗为2.5W，这使得其在设计时可以考虑简化散热设计。由于其优异的导电性能和相对较低的导通电阻，应用此MOSFET可有效降低热耗散以及提升散热效率。
应用场景 IRF7476TRPBF因其出色的性能而适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动器
- DC-DC转换器
- 高频开关电路
- 硬盘驱动的电源管理
此外，考虑到其宽广的工作温度范围，IRF7476TRPBF尤其适合在工业控制和汽车电子等需求较高的环境下使用。
结论 总体来看，IRF7476TRPBF是一款性能强大的N沟道MOSFET，具备高电流处理能力、低导通电阻和良好的热性能等优点，能够满足各种苛刻应用场合的需求。虽然该型号目前已停产，但它在电路设计和元件选择中所展示的价值以及技术特性，依然使其在技术资料和二手市场上具有重要的参考意义。对于寻求高效能与小型化设计的工程师及技术人员来说，IRF7476TRPBF无疑是一个值得考虑的选择。在进行电路设计和元器件选择时，了解其特性将对最终设计的可靠性和效率产生积极影响。