晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
供应商器件封装 | EMT3F(SOT-416FL) |
产品简介
DTC143EEBTL是一款由ROHM(罗姆)公司生产的NPN晶体管,专为数字电路和模拟电路应用设计。该晶体管具有创新的预偏置特性,能在较低的电流下实现可靠的开关操作,适用于各类消费电子、通信设备和工业控制系统。凭借其小巧的EMT3F(SOT-416FL)封装,DTC143EEBTL能够在空间受限的环境中占用最小的板面积,成为高密度电路设计的理想选择。
电气特性
DTC143EEBTL的关键电气参数包括:
频率特性
DTC143EEBTL具有250MHz的跃迁频率,能够快速、稳定地响应高频信号,使其特别适合高频应用,如无线通信和数字信号处理,能有效支持诸如开关电源和RF放大器等电路。
功率和散热
该晶体管的最大功耗为150mW,适当的散热设计能够确保元件在高负载状态下安全运行。在实际应用中,应充分考虑散热路径,以达到最佳性能。
电路设计
在实际电路设计中,DTC143EEBTL常与外围元器件(如电阻)配合使用,以实现最佳的工作状态。对于基极使用的4.7kΩ电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 的选择,能够有效地控制晶体管的工作点和线性度。适当的偏置电路设计,将有助于提高开关速度和降低失真,确保电路在各种工况下都能稳定工作。
封装与安装
DTC143EEBTL采用表面贴装(SMD)封装,符合SC-89及SOT-490封装规范,便于自动化贴装,适配各类现代电路板制造工艺。其轻巧、紧凑的设计也使得在要求严格的产品应用(如便携式设备)中拥有更大的设计灵活性。
应用场景
凭借其优异的性能和小巧的封装,DTC143EEBTL广泛应用于:
总结
DTC143EEBTL以其稳定的电气性能、紧凑的封装设计以及广泛的应用场景,成为当前市场上极具竞争力的NPN数字晶体管之一。其预偏置的特性,不仅提高了产品的适用性,还降低了设计复杂度,极大地丰富了开发者的选择。无论是在新产品开发,还是旧有产品的迭代升级,DTC143EEBTL都能为设计者提供额外的灵活性和性能保障。