功率(Pd) | 32.6W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 1.8pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,7A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 870pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 11.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
NCE65TF360F是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),采用TO-220F封装,专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备高达650V的额定耐压,能够承受高达11.5A的连续工作电流,最大功率可以达到32.6W。这使得NCE65TF360F成为电源管理、开关电源、逆变器及其他要求高效能和高稳定性的电路设计中的理想选择。
NCE65TF360F广泛应用于各种高电压和高电流的电子电路中,具体应用包括但不限于以下几类:
在设计使用NCE65TF360F的电路时,需考虑以下几点:
NCE65TF360F凭借其高耐压、高电流及优秀的开关特性,在电源管理、电机驱动及家电等多种应用中展现出良好的性能。其TO-220F封装不仅使其在散热方面表现出色,同时也便于PCB板的布线与安装。在日益追求高效、可靠的现代电子设计中,NCE65TF360F将是设计工程师们的一款理想选择。