ULQ2003D1013TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ULQ2003D1013TR

商品编码: BM0000641318
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
16-SO
包装 : 
编带
重量 : 
0.284g
描述 : 
其他晶体管
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.64
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.64
--
100+
¥1.25
--
1250+
¥1.07
--
2500+
¥0.904
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

ULQ2003D1013TR参数

晶体管类型7 NPN 达林顿电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 500µA,350mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 350mA,2V工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装16-SO

ULQ2003D1013TR手册

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ULQ2003D1013TR概述

ULQ2003D1013TR 产品概述

概述

ULQ2003D1013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能达林顿型 NPN 晶体管,其极具适应性和创新性,特别适合于各种需要高电流增益和低饱和压降的应用场景。该晶体管采用 16-SOIC 封装,方便了在有限空间内的集成与应用。凭借其最大集电极电流可达 500mA,及高达 50V 的集射极击穿电压,ULQ2003D1013TR 成为工业控制、家电和自动化设备中的理想选择。

设计与规格

该晶体管的关键参数设计如下:

  • 晶体管类型: 7 NPN 达林顿
  • 最大集电极电流 (Ic): 500mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同 Ib 和 Ic 的条件下,其最大饱和压降为 1.6V,尤其在 500μA 和 350mA 的电流下保持此性能,展示了其优异的电力效率。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 350mA 和 2V 的条件下,其直流电流增益 (hFE) 最小值为 1000,这使其在驱动大电流负载时依然能够有效工作。
  • 工作温度: 该器件的结温可承受高达 150°C,确保其在高温环境中的稳定性,适合工业和高温应用。

应用场景

ULQ2003D1013TR 的应用场景十分广泛,由于其极高的电流增益及适中的输出能力,它特别适合用于以下领域:

  1. 工业自动化: 由于其高增益特性,能够有效驱动继电器、马达驱动,以及各种可编程控制器(PLC)输出,改善工业自动化系统的响应速度和可靠性。

  2. 家用电器: 在洗衣机、空调和其他家用电器控制电路中,ULQ2003D1013TR 能够提供可靠的开关控制,以降低功耗并提高能效。

  3. 通信设备: 在通信基站和其他相关设备中,用于信号放大和转换,确保信号的稳定传输。

  4. LED 驱动: 该器件能够有效驱动高功率 LED 照明解决方案,应用于商业和家庭照明。

封装和安装

ULQ2003D1013TR 采用表面贴装型封装(16-SOIC),其外形尺寸适中,便于在空间受限的电路板上进行设计和焊接。该封装不仅有助于提高组件的散热性能,还能减少因电气连接不良而导致的故障概率。通过标准化的封装设计,工程师能够方便地与自动化设备集成,提升生产效率。

性能优势

  • 高电流增益: 凭借高达 1000 的最小直流电流增益,ULQ2003D1013TR 能够有效降低驱动电流,节省能量并提升电路的效率。
  • 低饱和压降: 鉴于其最大饱和压降为 1.6V,这使得该晶体管在承担较大负载时,能有效减少功耗,特别适合要求高能效的设计。
  • 高工作温度: 与行业标准相比,ULQ2003D1013TR 的150°C 工作温度极限使其在温度变化大的环境中也能保持性能稳定,增加了应用的适应性和可靠性。

结论

总的来说,ULQ2003D1013TR 是一款以高性能和效率著称的达林顿 NPN 晶体管,广泛应用于各类需要高电流增益与高稳定性的场景。其独特的设计与优良的工作参数,使得该产品在现代电子设计中展现出了巨大的价值和潜力。无论是在工业、家电还是通信领域,ULQ2003D1013TR 都是工程师所青睐的选择,能够有效提升产品的性能与可靠性。