驱动配置 | 低端 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 20V | 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 5A,5A |
输入类型 | 反相 | 上升/下降时间(典型值) | 5.3ns,4.5ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
产品概述:Infineon 2EDN7523FXTMA1
一、引言 在现代电子设备中,随着功率密度的不断增加和电源管理的复杂性提升,栅极驱动器作为关键的驱动元件,以其高效的性能和可靠的工作能力在电源管理和功率变换电路中扮演着越来越重要的角色。Infineon 的 2EDN7523FXTMA1 是一款高级的栅极驱动器,专为提高MOSFET的开关性能而设计,尤其适用于在电压快速变化的环境下操作的高频开关电源和DC-DC转换器。
二、产品特性
驱动配置和输出能力 2EDN7523FXTMA1 拥有低端驱动配置,配备两个独立式通道,每个通道能够提供高达5A的峰值输出电流。这种高电流输出能力确保了在快速开关变换中,即使在高负载条件下也能稳定驱动MOSFET,从而实现高效的能量传输和最小的能量损耗。
电压范围 其工作电压范围为4.5V至20V,这种广泛的供电电压使得该驱动器能够灵活适应多种电源设计需求,包括低电压和中等电压应用。
输入类型 采用反相输入类型,便于在控制电路中实现逻辑信号的简单链接,减少设计复杂度,降低设计的时间成本。
上升/下降时间 典型的上升时间为5.3ns,下降时间为4.5ns,意味着在高频操作中,2EDN7523FXTMA1 可以实现极快的开关响应,加速开关周期,优化处理效率,满足高性能电源需求。
工作温度和可靠性 该芯片的工作温度范围宽广,从-40°C到150°C,这使其能够在苛刻的工业环境下正常工作,满足各种应用的耐用性和稳定性要求。
安装及封装 被设计为表面贴装型,封装为8-SOIC(0.154",3.90mm宽),其紧凑的尺寸设计使得在空间受限的布局中更为适用,并能够支持高密度的PCB设计。
三、应用领域 2EDN7523FXTMA1在多个领域都有广泛应用:
四、总结 Infineon 2EDN7523FXTMA1以其卓越的性能、高可靠性和广泛的应用范围,成为设计师和工程师在选择栅极驱动器时的优先选择。无论是在提升开关电源效率、优化电池管理、还是支持高密度PCB设计方面,2EDN7523FXTMA1都能提供可靠的解决方案。随着技术的不断进步和新的应用需求的出现,2EDN7523FXTMA1必将帮助客户在电源管理和功率处理领域实现更高效的设计和更卓越的产品性能。