IRL520NSTRLPBF
IRL520NSTRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 440pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRL520NSTRLPBF手册
IRL520NSTRLPBF概述
产品概述：IRL520NSTRLPBF
基本信息
IRL520NSTRLPBF是一款优质的N通道MOSFET（场效应管），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产，旨在满足应用于高压电源、驱动电路以及开关电源的各种需求。该器件在表面贴装技术（SMD）的基础上，采用D2PAK封装设计，非常适合要求高功率处理和高热效能的电子设备。
关键参数
漏源电压（Vdss）：IRL520NSTRLPBF的最大漏源电压为100V，能够有效应对高电压应用，确保在高压环境下的稳定性和可靠性。
电流特性：在25°C的环境温度下，该MOSFET可持续输送最大10A的电流（Id），使其适用于多种电流密集型的应用场合。
导通电阻（Rds(On)）：在10V的栅极电压（Vgs）下，IRL520NSTRLPBF展示出较低的导通电阻，最大值为180毫欧（@6A），这意味着在运行时能显著降低功耗，提高整体效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在250µA的漏电流下，最大栅极阈值电压为2V。低阈值电压使得IRL520NSTRLPBF可以在较低的信号电平下实现开启，适合于低电压驱动应用。
栅极电荷（Qg）：栅极电荷的最大值为20nC（@5V），这表明为了驱动该MOSFET所需的输入功耗较低，适合快速开关应用。
功率耗散：在环境温度（Ta）为25°C的情况下，该器件的最大功率耗散为3.8W，而在晶体管的结温（Tc）下可以达到48W。这意味着IRL520NSTRLPBF在高负载条件下亦能稳定运行，而不会因过热而损坏。
工作温度：器件的工作温度范围广泛，从-55°C至175°C，符合军事和工业规格，适用于苛刻的工作环境。
输入电容（Ciss）：最大输入电容为440pF（@25V），较低的输入电容有助于提高开关速度，对于高频应用来说，降低了开关损耗。
应用场景
IRL520NSTRLPBF被广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动、电池管理系统等多种电子电路设计中。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件特别适合于电源管理、高效能转换和伺服驱动等领域。
此外，该器件的宽工作温度范围使它能在极端环境下可靠工作，适用于汽车、工业控制、通信基础设施等需要高可靠性的应用场景。
封装与安装
IRL520NSTRLPBF采用D2PAK（TO-263-3）封装，这种封装结构不仅提供了良好的散热性，还便于自动化生产线的安装。D2PAK的设计还有助于减少电路板的占用面积，优化空间使用。
结论
总的来说，IRL520NSTRLPBF是一款功能强大且灵活的N通道MOSFET，具备满足高电压和高电流需求的各种参数，凭借其优异的性能和广泛的应用范围，它适合于多种现代电子电路和系统的设计与开发。无论是在消费电子、工业自动化还是电动车领域，IRL520NSTRLPBF都能提供稳健的解决方案。