功率(Pd) | 45W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V,3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.05nF@10V | 连续漏极电流(Id) | 6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@1mA |
TK6A65D是一款由东芝(TOSHIBA)生产的增强型绝缘栅场效应管(MOSFET),专为高效能电源管理及开关应用而设计。它采用了TO-220SIS封装形式,确保了良好的散热性能和方便的电路安装。此器件以其优异的电气特性和稳定的工作性能,广泛应用于各种电子设备中,特别是在功率转换、马达驱动以及工业控制系统等领域。
TO-220SIS封装的设计不仅提供了便捷的安装方式,还通过大面积的散热基座来优化热管理。这对于高功率应用尤为重要,可以有效降低元件温度,提高器件的可靠性和寿命。在设计电路时,建议与散热器结合使用,以提升散热性能。
东芝的TK6A65D MOSFET以可靠性著称。经过严格的测试和筛选,该器件在极端温度和高负载条件下依然表现出色。所有这些特性使其成为工业和消费应用中的理想选择。
TK6A65D(STA4,X,M)是一款高性能的MOSFET,因其优秀的技术规格和广泛的适用性,被广泛应用于各种电子产品中。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,使其在电源管理和马达驱动等高效能的应用中表现卓越。东芝通过持续的技术创新,不断推出高质量的MOSFET产品,为全球电子制造商提供了强有力的支持。
无论是在设计新型电源管理系统,还是在优化现有设备的性能,TK6A65D都是一个非常值得考虑的选项。