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IRF7406TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.275g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 5.8A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.03按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.03
--
100+
￥3.37
--
1000+
￥3.12
--
2000+
￥2.97
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7406TRPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7406TRPBF手册
无数据
IRF7406TRPBF概述
产品概述：IRF7406TRPBF
概述
IRF7406TRPBF 是一款高性能的 P 通道 MOSFET 场效应管，专为中等功率和高开关频率的应用而设计。其具备较高的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流（Id），使其在需求严苛的电力电子应用中表现卓越。其采用了先进的 MOSFET 技术和优化的封装设计，为设计工程师提供了极大的灵活性与可靠性。
主要特性
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：30V，适合多种低至中压直流电应用
- 连续漏极电流（Id）：5.8A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压：有效的驱动电压范围为4.5V至10V，可以确保低导通电阻（Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：在10V驱动下，最大导通电阻为45毫欧，确保了高效率的电能传输
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1V，适用于低电压控制逻辑
- 栅极电荷（Qg）：最大值为59nC @ 10V，有助于快速开关操作以降低开关损耗
- 输入电容（Ciss）：最大值为1100pF @ 25V，保证了高频操作性能
- 功率耗散：最高可达2.5W，在合理的操作条件下可保持安全运行
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C，适应各种极端环境，与许多工业和汽车应用无缝兼容
- 封装类型：表面贴装型 SO-8，便于自动化组装和缩小体积
应用领域
IRF7406TRPBF 广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动、开关电源以及各类电动工具和工业控制系统中。其优异的电流处理能力和导通电阻特性使其特别适合用在需要高效率和可靠性的电力转换应用中。
性能优势
- 高效率：由于其低导通电阻，IRF7406TRPBF 在开关操作时能够显著降低功率损耗，从而提高整体能效。
- 良好的热稳定性：其宽广的工作温度范围为产品在恶劣环境中的稳定运行提供了保障，适合各类工况下的使用。
- 强大的开关性能：较低的栅极电荷和输入电容使其在高频操作中的表现更加出色，具有快速开关能力，有效降低开关损耗。
- 紧凑的封装：SO-8 封装有效节省电路板空间，同时适合现代电子元器件的设计需求。
结论
作为 Infineon（英飞凌）的一款出色 P 通道 MOSFET，IRF7406TRPBF 具备非常全面的规格，使其成为设计工程师和开发人员的理想选择。无论是在电力转换、马达驱动还是其他要求高效能和高可靠性的应用中，它都能够提供卓越的性能和可靠性。通过利用这些特性，加速产品上市进程并提升产品质量，IRF7406TRPBF 定能为您的设计增值。