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BSC014N06NSATMA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TDSON-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 156W；2.5W 60V 30A；100A 1个N沟道 TDSON-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
14.66按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥14.66
--
100+
￥13.32
--
1250+
￥12.93
--
2500+
￥12.68
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSC014N06NSATMA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.45 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 120µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 89nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6500pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），156W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-TDSON-8-17 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC014N06NSATMA1手册
无数据
BSC014N06NSATMA1概述
产品概述：BSC014N06NSATMA1
概述
BSC014N06NSATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道 MOSFET。它具备优异的电气和热性能，适用于多种应用场景，包括电源管理、开关电源、高效能电动机驱动等。其漏源电压能力高达 60V，连续漏极电流可分别达到 30A（在常温下）和 100A（在工作环境温度较低的情况下），使其在高电流负载条件下工作非常可靠。
关键参数
- FET 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 30A @ 25°C，100A @ Tc
- 驱动电压: 6V（最小），10V（最大 Rds On）
- 导通电阻 (Rds,on): 最大 1.45 毫欧 @ 50A，10V 驱动电压
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.8V @ 120µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 89nC @ 10V
- 栅源间电压 (Vgs): ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大 6500pF @ 30V
- 功率耗散: 最大 2.5W (Ta)，156W (Tc)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: 表面贴装，PG-TDSON-8-17
- 尺寸: 8-PowerTDFN
应用领域
BSC014N06NSATMA1 适用于多种应用场景，其中包括：
- 开关电源: 其低导通电阻和高电流能力使其非常适合在开关电源电路中使用。
- 电动机驱动: 其高电流能力可以驱动高功率电动机，尤其是在大电流和高频率的应用中表现优良。
- DC-DC 转换器: 该 MOSFET 拥有较低的导通电阻和高效的功率转换性能，使其非常适合在 DC-DC 转换器中使用。
- 电池管理系统: 能够可靠地处理高电流，适用于电池充电与保护电路。
性能特点
BSC014N06NSATMA1 的设计考虑了电气和热性能的优化，使其在高功率应用中表现稳定。它在比较宽的工作温度范围内具有优越的性能，包括：
- 高效能: 低导通电阻和较低的输入电容有助于在高频情况下降低开关损耗。
- 优异的热管理: 优化的封装设计提供良好的热性能，允许在高负载情况下的安全工作。
- 耐久性: 广泛的工作温度范围使其适应各种环境条件，确保产品的长期可靠性。
封装与安装
该 MOSFET 采用 PG-TDSON-8-17 封装，设计为表面贴装型，便于在多种板级布局中使用。小型化的封装不仅节省了电路板空间，同时也提高了散热效率。同时，这种封装形式兼容现有的自动贴片生产工艺，能够降低生产成本及提升生产效率。
结论
综上所述，BSC014N06NSATMA1 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET，广泛适用于电源管理、开关电源和电动机驱动等多个领域。其优秀的电气特性、良好的热管理及广泛的应用适应性，使其成为现代工程师在高性能电路设计中的优选组件。