IRFR014TRLPBF
IRFR014TRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR014TRLPBF手册
IRFR014TRLPBF概述
IRFR014TRLPBF 产品概述
产品简介
IRFR014TRLPBF 是一款先进的 N 通道 MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，由知名电子元件制造商 VISHAY（威世）生产。这款MOSFET设计用于高效率的电源管理和信号开关应用，其标称漏源电压为 60V，最大连续漏极电流为 7.7A。凭借其出色的导通电阻和其他电气特性，IRFR014TRLPBF 适合广泛的电子应用，包括 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效开关的电路。
主要特点
高漏源电压：IRFR014TRLPBF 的漏源电压达到 60V，使其能够满足各种高电压应用需求，确保在电源电路中具有良好的可靠性。
高电流能力：该组件在 25°C 环境温度下具有 7.7A 的连续漏极电流（Tc），能够支持大电流的输出，为多种负载提供强劲动力。
优异的导通电阻：在 Vgs 为 10V 和 Id 为 4.6A 时，IRFR014TRLPBF 的最大导通电阻仅为 200 毫欧，这意味着在开启状态下功耗极低，极大提升了能效。
高输入电容和栅极电荷：该 MOSFET在不同 Vgs 下的最大输入电容 (Ciss) 为 300pF，栅极电荷 (Qg) 在 10V 条件下测得为 11nC，确保快速开关特性，满足高频率应用的需求。
宽工作温度范围：IRFR014TRLPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），保证了在极端环境下的可靠性和稳定性，适合工业和汽车等严苛环境中的应用。
表面贴装型设计：采用 D-Pak 封装，适合现代电子设备焊接，能够有效节省空间并提高散热能力。
应用场景
IRFR014TRLPBF MOSFET 主要应用于以下几个领域：
- 电源管理：适用于 DC-DC 转换器，提供稳压输出，提升整体能效。
- 马达控制：广泛用于电机驱动电路，能够处理大电流为电机提供所需的动力。
- 负载开关：可用于各种负载切换，如LED驱动、电池管理系统等。
- 开关电源：在开关电源设计中，该MOSFET可作为主开关元件，确保高效率的能量转换。
性能优势
IRFR014TRLPBF 以其低导通电阻和高功率处理能力，展现出优于传统MOSFET的性能。在动态应用中，它能够以极低的电压降运行，提高整体系统的转化效率。此外，宽温工作范围让其能够在各种环境下稳定工作，降低了整个系统因温度波动而导致的故障风险。
总结
作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，IRFR014TRLPBF 是高效电源管理和多种电路应用中的理想选择。其卓越的电气特性、宽广的工作温度范围以及优异的热管理能力，使其成为工程师和设计师在快速发展电子市场中的必备组件。VISHAY（威世）作为该器件的制造商，其在电子元件领域的声誉和技术优势为用户提供了更为可靠的质量保证和技术支持。
IRFR014TRLPBF 的多样化应用和高效能确保了其在电子技术不断革新的今天，仍然可以满足市场的需求，是电子开发人员不可或缺的专业配件之一。