晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 2mA,20mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 40 @ 30mA,10V |
功率 - 最大值 | 330mW | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMTA42TA 是一款高性能的 NPN 型晶体管,专为各种电子应用而设计。具有良好的电气特性和可靠的性能,其主要参数包括最大集电极电流 200mA、击穿电压 300V 和功率处理能力 330mW。这款晶体管采用 SOT-23 封装,适合表面贴装,可以满足现代电子设备对高集成度和小型化设计的需求。
FMMTA42TA 的 NPN 结构使其在开关和放大电路中表现出色。其最大 Ic 达到 200mA,可以承受较大的负载电流,适用于中至高功率的应用。300V 的击穿电压确保了该器件在高电压环境下的稳定性,适合电源管理、信号处理和其他需要高电压耐受能力的场合。
在频率性能方面,FMMTA42TA 的跃迁频率为 50MHz,使其能够处理较高频率的信号,适合音频放大和射频应用。这对于现代通讯和音视频设备非常重要。
饱和压降为 500mV,意味着该器件在导通状态下的电能损耗较低,从而提高了系统的整体效率。同时,DC 电流增益(hFE)达到最小 40,表示在小信号条件下,该晶体管可以放大输入信号,有助于信号处理应用的实现。
FMMTA42TA 可广泛应用于多种场景,包括但不限于:
FMMTA42TA 采用表面贴装 SOT-23 封装,具有较小的体积和重量,适合于紧凑型设备的设计。此外,该晶体管的宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下稳定工作,保证了长时间的可靠性。
综上所述,FMMTA42TA 是一款极具应用潜力的 NPN 晶体管,具有优良的电气特性和广泛的应用场景。它适合用于对功率、电压和频率有高要求的现代电子设备,对希望提高效率和性能的设计师而言,是一种理想选择。随着电子技术的进步和创新,FMMTA42TA 将在新一代产品中发挥越来越重要的作用。