BSC093N15NS5 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSC093N15NS5

商品编码: BM69420255
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 139W 150V 87A 1个N沟道 TDSON-8-EP(5x6)
库存 :
9(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
7.14
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.14
--
100+
¥5.96
--
1250+
¥5.51
--
2500+
¥5.25
--
5000+
¥4.99
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC093N15NS5参数

功率(Pd)139W反向传输电容(Crss@Vds)26pF@75V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9.3mΩ@10V,44A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)40.7nC@10V
漏源电压(Vdss)150V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)3.23nF@75V连续漏极电流(Id)87A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.6V@107uA

BSC093N15NS5手册

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BSC093N15NS5概述

BSC093N15NS5 产品概述

一、产品描述

BSC093N15NS5是一款由英飞凌(Infineon)出品的高性能N沟道MOSFET,具有139W的功率额定值和150V的漏极-源极最大电压(V_DS)。该器件的额定电流可达到87A,非常适合用于高电流及高电压的应用场景,是电力转换、开关电源及其他电力电子设备的理想选择。BSC093N15NS5采用PG-TDSON-8封装,面积为5x6 mm,提供了良好的散热性能和提升电路密度的能力。

二、主要特性

  1. 高电压和电流额定值: BSC093N15NS5的150V漏极-源极电压和87A额定电流使其可以处理高功率应用,适用于各类变换器和电源管理电路。

  2. 低导通电阻: 此MOSFET的导通电阻(R_DS(on))非常低,这可大幅度减少在开关工作中产生的热量,同时提高整体效率。

  3. 快速开关特性: BSC093N15NS5具备更快的开关速度,使其特别适合高频应用,有助于减少开关损耗,提高系统的总体效率。

  4. 优良的热性能: PG-TDSON-8封装提供优越的热管理,通过大的散热面提供有效的散热方案,确保MOSFET在高功率应用中的稳定运行。

  5. 高可靠性: 英飞凌作为全球知名的半导体制造商,BSC093N15NS5在生产过程中经过严格的质量检测,具有良好的长期可靠性。

三、应用领域

由于其优异的特性,BSC093N15NS5广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源: 在各类DC-DC变换器中,MOSFET作为开关元件,能够高效地释放和转换电能。BSC093N15NS5的高电流承载能力和低导通电阻使其表现出色。

  2. 电动车辆: 在电动汽车的电源管理系统中,BSC093N15NS5可用于电池管理、驱动电机、充电设备等关键模块,满足高效能和长寿命的需求。

  3. 逆变器: 在太阳能逆变器和工业逆变器中,MOSFET用于电能转换,BSC093N15NS5能够有效应对高电压和高频率操作。

  4. 电机驱动: 在各种电机驱动应用中,BSC093N15NS5提供快速的开关性能,能够对电流进行精确控制,从而实现高效且高响应速度的电机操作。

四、技术规格

  • 漏极-源极最大电压(V_DS): 150V
  • 连续漏极电流(I_D): 87A
  • 导通电阻(R_DS(on)): 具体值需参见数据手册
  • 功耗(P_D): 139W
  • 封装类型: PG-TDSON-8(5x6 mm)

五、总结

BSC093N15NS5是英飞凌公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性和高可靠性,成为高电压、大电流应用的理想选择。通过将其集成于各类电力电子设计中,工程师能够实现更高的效率、更长的使用寿命以及更小的设计体积,满足现代电子产品对性能的苛刻要求。因此,BSC093N15NS5在电力转换与电源管理领域具有广泛的应用前景,能够有效推动相关应用技术的发展。