L6571BD013TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

L6571BD013TR

商品编码: BM0000631889
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
栅极驱动IC L6571BD013TR SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
17.72
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥17.72
--
100+
¥16.1
--
1250+
¥15.64
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

L6571BD013TR参数

驱动配置半桥通道类型同步
驱动器数2栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
电压 - 供电10V ~ 16.6V电流 - 峰值输出(灌入,拉出)170mA,270mA
输入类型RC 输入电路高压侧电压 - 最大值(自举)600V
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SO

L6571BD013TR手册

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L6571BD013TR概述

L6571BD013TR 产品概述

1. 引言

L6571BD013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能栅极驱动集成电路(IC),旨在为IGBT和N沟道MOSFET提供高效驱动解决方案。作为一个半桥驱动器,它主要用于电源转换、逆变器、电机驱动等多种应用场景,满足高压、高性能和高效率的要求。

2. 基础参数

L6571BD013TR的主要技术参数如下:

  • 驱动配置: 半桥配置
  • 通道类型: 同步
  • 驱动器数量: 2个独立的驱动通道
  • 栅极类型: 支持IGBT和N沟道MOSFET
  • 供电电压范围: 10V至16.6V
  • 峰值输出电流: 灌入170mA,拉出270mA
  • 输入类型: RC输入电路
  • 高压侧电压(自举): 最大600V
  • 工作温度范围: -40°C至150°C(结温TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD)
  • 封装: 8-SOIC(标准SOIC-8封装,宽度为3.90mm)

3. 特点与优势

L6571BD013TR在设计上具有多项特点,使其在高压驱动场合中表现出色:

  • 高压兼容性: 该IC的高压侧电压支持最高可达600V,这使得其适用于高压应用,如工业电源和电动汽车(EV)等。
  • 高温稳定性: 其工作温度范围为-40°C至150°C,使其特别适合在严酷的环境条件下运行。
  • 驱动能力: 提供170mA的灌电流和270mA的拉电流,确保快速的栅极充放电,减少开关损耗,提升系统的整体效率。
  • 简化设计: 集成的RC输入电路减少了外部组件的需求,简化了设计过程,同时也优化了PCB空间的利用。

4. 应用领域

L6571BD013TR广泛应用于多种工业和商业领域,如下所示:

  • 电源转换: 用于DC-DC转换器、DC-AC逆变器等,推动高效的能量变换。
  • 电机控制: 应用于伺服电机、步进电机驱动,支持精确控制电机输出,提高系统性能。
  • 可再生能源: 在太阳能逆变器和风能发电系统中,有助于高效地转换和管理能量。
  • 电动汽车: 驱动电动汽车及其充电桩系统,提高能效和性能。

5. 结论

作为一款优秀的栅极驱动IC,L6571BD013TR结合高耐压、高温稳定性、强大驱动能力和紧凑的封装设计,能够有效应对各种苛刻的电气环境和应用需求。它为各类设计工程师提供了便利的解决方案,不仅简化了电路设计,还提升了整个系统的效率与可靠性。意法半导体的L6571BD013TR无疑是高压驱动应用中一个非常值得信赖的选择。