驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 16.6V | 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 170mA,270mA |
输入类型 | RC 输入电路 | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SO |
L6571BD013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能栅极驱动集成电路(IC),旨在为IGBT和N沟道MOSFET提供高效驱动解决方案。作为一个半桥驱动器,它主要用于电源转换、逆变器、电机驱动等多种应用场景,满足高压、高性能和高效率的要求。
L6571BD013TR的主要技术参数如下:
L6571BD013TR在设计上具有多项特点,使其在高压驱动场合中表现出色:
L6571BD013TR广泛应用于多种工业和商业领域,如下所示:
作为一款优秀的栅极驱动IC,L6571BD013TR结合高耐压、高温稳定性、强大驱动能力和紧凑的封装设计,能够有效应对各种苛刻的电气环境和应用需求。它为各类设计工程师提供了便利的解决方案,不仅简化了电路设计,还提升了整个系统的效率与可靠性。意法半导体的L6571BD013TR无疑是高压驱动应用中一个非常值得信赖的选择。