FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 135nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4730pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 208W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263(D²Pak) |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
IRFS7440TRLPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的电气特性和宽广的应用场景。凭借其高达120A的连续漏极电流能力和40V的漏源电压等级,该器件为高功率和高效率的电子电路设计提供了理想的解决方案。
IRFS7440TRLPBF的主要参数如下:
高电流处理能力: IRFS7440的120A连续漏极电流能力意味着它能够处理高功率负载,这使得其非常适用于电动汽车、工业电源转换器、开关电源和大功率驱动线路等应用。
低导通电阻: 其2.5毫欧的导通电阻提供了优异的电流导通效率,降低了热损耗和系统散热需求,有助于提高设备整体效率。
宽工作温度范围: 能够在-55°C至175°C的极端环境中稳定工作,确保器件在严酷工作条件下的可靠性,适合军事、航空航天及高温工业应用。
快速开关特性: 135nC的栅极电荷确保了较快的开关频率,使得该MOSFET非常适用于高频转换的电源设计,减少了开关损失。
合理的输入电容: 较低的输入电容4730pF,有助于简化驱动电路设计并降低驱动功耗。
IRFS7440TRLPBF广泛应用于多种电子设备和系统中,包括但不限于:
IRFS7440TRLPBF是一款具有优异性能、可靠性和适用性的N通道MOSFET器件,能够满足多种高效电力转换和控制应用的需求。其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围使其成为现代电源管理系统的重要组成部分,将大大提升电子设备的性能和耐用性。无论是在高频开关电源、工业电源还是电动汽车的应用场景中,IRFS7440TRLPBF都表现出色,是工程师们优化设计和提升系统效能的理想选择。