AOSP21313C
AOSP21313C参数
| 功率(Pd) | 2.5W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@7A,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 类型 | 1个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@15V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA |
AOSP21313C手册
AOSP21313C概述
AOSP21313C 产品概述
产品型号： AOSP21313C
类型： P沟道场效应管 (MOSFET)
功率等级： 2.5W
最大电压： 30V
最大电流： 7A
封装形式： SOIC-8
品牌： AOS (Alpha & Omega Semiconductor)
一、产品简介
AOSP21313C 是一款高性能的 P 沟道场效应管 (MOSFET)，专为各种电子设备中的开关和功率管理应用而设计。作为 AOS 品牌下的一款重要产品，该MOSFET具备优越的电气特性和高效能，适合在现代电子产品中使用，尤其是在需要处理较高功率和电流的场合。
二、技术参数
最大漏-源击穿电压 (V_DS): AOSP21313C 具有最高 30V 的漏极-源极电压，这使其适合用于低压电源管理与系统控制。
最大漏极电流 (I_D): 该产品的最大漏电流为 7A，这为设计提供了足够的电流承载能力，能够满足多种应用的需求。
功率耗散 (P_D): 最大功率耗散为 2.5W，意味着在使用过程中，器件能够在相对较高的功率负载下稳定工作。
封装形式: SOIC-8 封装不仅使得产品体积小巧，有效节省 PCB 空间，还便于自动化焊接和组装，提升生产效率和可靠性。
三、应用场景
AOSP21313C 的设计特别适合以下应用场景：
电源管理：包括开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节器等，能够有效提高整体效率。
电机控制：在驱动小型直流电机或步进电机的电路中，MOSFET 可作为高效的开关元件，实现快速开关和控制。
便携式设备：如移动电话、平板电脑和其他消费类电子产品，得益于其Compact SOIC-8 封装设计，能够节省空间。
照明设备：LED 驱动电路中可用作负载开关，提供最佳的功率管理和热管理性能。
汽车电子产品：如电动窗、门锁控制和电池管理系统中的开关和控制环节，能够处理高达 7A 的电流，以应对汽车电气系统的要求。
四、性能优势
AOSP21313C 相较于传统的电流控制元件，具有多个显著的性能优势：
高效率与低导通电阻：该 MOSFET 具有较低的导通电阻，可以减少能量损耗，提高电源的整体效率，这对于延长便携式设备的电池寿命尤为重要。
热稳定性：由于具备优越的散热性，AOSP21313C 在高功率运行时，能够保持较低的温升，从而提升产品的可靠性和使用寿命。
响应速度快：MOSFET 的开关速度快，有助于提高转换效率，适合高频开关应用。
抗干扰性能：良好的抗电磁干扰能力，使其在复杂电路环境中同样能够稳定运行。
五、总结
总的来说，AOSP21313C 是一款极具潜力的 P 沟道 MOSFET，广泛应用于各类电源管理和功率控制应用中。其高性能、高效率及小型封装，使其在众多现代电子设备中成为不可或缺的重要元件。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，AOSP21313C 都能为设计工程师提供灵活的解决方案，以应对日益增长的电流和功率要求。选择 AOSP21313C，无疑是对产品设计质量和性能的提升！