FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 175 毫欧 @ 6.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 350pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 38W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | IPAK(TO-251) |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
IRFU9024NPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,该器件广泛应用于各种开关和线性应用,能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。
IRFU9024NPBF 采用 TO-251 类型的 IPAK 封装,这种封装设计使其具有良好的散热性能,有利于提升器件的整体可靠性和效率。短引线结构优化了电气性能,适合于高密度布板设计。
该 MOSFET 适合用于多个电源管理和开关能力要求较高的应用,如:
IRFU9024NPBF 的设计不仅关注于电气性能,其构造也考虑到了热管理,确保在高电流和高功率应用下,器件能够保持较低的工作温度,延长使用寿命。此外,低导通电阻和快速开关特性使其能够在高效能电源和电机驱动应用中脱颖而出,从而在高频开关环境中保持较低的能量损耗。
综上所述,IRFU9024NPBF 是一款可靠、效率高且应用广泛的 P 通道 MOSFET,具有众多优异的电气特性和适应性。无论是在工业控制、汽车电子还是消费电子产品中,该器件都能够提供出色的性能表现,是设计工程师在选择场效应管时的理想选择。无论面对怎样复杂的电流和温度环境,IRFU9024NPBF 都能确保系统的稳定性和高效性。