IPN60R360PFD7SATMA1

产品概述：IPN60R360PFD7SATMA1

一、基本信息

IPN60R360PFD7SATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 CoolMOS™ PFD7 系列。该产品以其卓越的功率特性和高效率表现，广泛应用于需要高效电源管理和转换的电子设备中。其核心设计旨在满足严格的电源需求，尤其是在工业和消费类电子领域。

二、关键参数

1. 电气特性：

   • 漏源电压（Vdss）：额定650V，使得该MOSFET能够承受高电压应用，适用于高压电源电路。
   • 连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25°C时），在较高的负载条件下保持可持续运行。
   • 导通电阻（Rds(on)）：最大值为360毫欧，确保在通电时具有较低的功率损耗和热量生成，尤其是在2.9A和10V条件下的表现。

2. 门源极电压（Vgs）：

   • 支持的最大门源极电压为±20V，允许广泛的驱动设计。
   • Vgs(th)（门阈电压）最大值为4.5V，在140µA的电流条件下，确保MOSFET在低电压下即可实现有效开启。

3. 功率耗散：

   • 最大功率耗散为7W（Tc），能够支持高功率应用并在相应环境下有效管理热量。

4. 温度范围：

   • 工作温度范围在-40°C至150°C（TJ），使得该器件在极端环境条件下均能保持优异的性能。

5. 封装与安装：

   • 采用TO-261-3（SOT-223）封装形式，适合表面贴装，便于与其他电子元件集成，优化电路布局。

6. 其他特性：

   • 内部栅极电荷（Qg）最大值为12.7nC，输入电容（Ciss）在400V时最大为534pF，确保快速开关响应的同时降低开关损失。

三、应用场景

由于其高耐压和低导通电阻特性，IPN60R360PFD7SATMA1广泛应用于：

• DC-DC转换器
• 开关电源（SMPS）
• 高频逆变器
• 电机驱动器
• 充电器和电池管理系统

四、竞争优势

IPN60R360PFD7SATMA1凭借其CoolMOS™技术，相较传统MOSFET产品在效率和热性能上具有显著优势。CoolMOS™ PFD7 产品提供低开关损耗和优异的热特性，确保在高频应用中能够以更高的效率工作，完美适用于当前市场上对能源效率要求越来越高的趋势。

五、总结

作为市场上领先的高压N通道MOSFET，IPN60R360PFD7SATMA1代表了英飞凌在高性能电源技术领域的最新成果。无论是在高效能电源转换、紧凑型设计还是在高温环境下的可靠性方面，均展示了其卓越的性能和价值。对于设计工程师而言，其兼容性强、应用广泛及技术先进的特性，提供了无与伦比的设计灵活性与可靠的性能保障，成为现代电源设计中不可或缺的关键元件。