FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 79A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.4 毫欧 @ 47A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 69nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2290pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF1018EPBF 是一款优质的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计目标是满足高效率功率管理需求。这款 MOSFET 由知名半导体制造商——英飞凌(Infineon)出品,适用于各种工业和消费类电子设备。IRF1018EPBF 具备高电压和大电流处理能力,适合用作开关电源、直流-直流转换器、电机驱动等应用。
IRF1018EPBF 采用 TO-220AB 封装设计,便于通过通孔安装,适合在高散热需求的应用中。TO-220 封装有效传导热量,确保 MOSFET 在高电流工作时保持较低的温度,延长了其使用寿命。
得益于其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,IRF1018EPBF 在多个领域都得到了广泛应用。主要应用包括:
IRF1018EPBF 是一款高性能的 MOSFET,结合了优良的电气性能、散热能力和可靠性,适合广泛的工业和消费电子应用。无论是在电源管理还是电机控制领域,其卓越的各项参数都使其成为设计师和工程师的理想选择。随着电子技术的不断发展,IRF1018EPBF将在更广泛的应用中发挥其重要作用。