IRF1018EPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRF1018EPBF

商品编码: BM0000631829
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
编带
重量 : 
2.813g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 60V 79A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
176(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
4.58
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.58
--
100+
¥3.66
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRF1018EPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)79A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.4 毫欧 @ 47A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)69nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2290pF @ 50V
功率耗散(最大值)110W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRF1018EPBF手册

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IRF1018EPBF概述

IRF1018EPBF 产品概述

概述

IRF1018EPBF 是一款优质的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计目标是满足高效率功率管理需求。这款 MOSFET 由知名半导体制造商——英飞凌(Infineon)出品,适用于各种工业和消费类电子设备。IRF1018EPBF 具备高电压和大电流处理能力,适合用作开关电源、直流-直流转换器、电机驱动等应用。

主要特性

  • 漏源电压(Vdss): 最高可承受 60V 的漏极至源极电压,使其适合于中低电压应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在额定条件下,IRF1018EPBF 可以连续承载 79A 的电流,具有很好的负载能力。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动电压和 47A 的漏极电流条件下,导通电阻最大值为 8.4 毫欧。这一特性使得该器件在运行过程中产生的功耗降低,提升能效。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 在 100µA 的漏电流条件下,阈值电压的最大值为 4V,适合各种控制电路设计。
  • 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 69nC,能够在较高频率下实现快速开关,适应各种动态负载要求。
  • 输入电容(Ciss): 在 50V 的条件下,最大输入电容为 2290pF,这有助于减少高频切换过程中的信号失真。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 110W(在 Tc 条件下),为高负载应用提供了有效的热管理支持。
  • 工作温度范围: IRF1018EPBF 支持 -55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围,增加了其在极端环境中的可靠性。

安装与封装

IRF1018EPBF 采用 TO-220AB 封装设计,便于通过通孔安装,适合在高散热需求的应用中。TO-220 封装有效传导热量,确保 MOSFET 在高电流工作时保持较低的温度,延长了其使用寿命。

应用领域

得益于其卓越的电气特性和广泛的工作温度范围,IRF1018EPBF 在多个领域都得到了广泛应用。主要应用包括:

  • 开关电源: 在电源管理中,作为主开关元件使用,提供高转化效率。
  • DC-DC 转换器: 在直流电源转换中,作为理想的开关元件。
  • 电机驱动: 用于电动机控制,可以提升电动机驱动的效能。
  • 逆变器: 在太阳能逆变器等设备中,通过高效开关提高转换效率。

结论

IRF1018EPBF 是一款高性能的 MOSFET,结合了优良的电气性能、散热能力和可靠性,适合广泛的工业和消费电子应用。无论是在电源管理还是电机控制领域,其卓越的各项参数都使其成为设计师和工程师的理想选择。随着电子技术的不断发展,IRF1018EPBF将在更广泛的应用中发挥其重要作用。