STB15N80K5
STB15N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 375 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB15N80K5手册
STB15N80K5概述
STB15N80K5 产品概述
STB15N80K5 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器等领域。作为一款能够承受高达 800V 的漏源电压的元件，STB15N80K5 特别适合用于高电压和高效能的应用场景。
基本技术规格
漏源电压（Vdss）: STB15N80K5 的额定漏源电压高达 800V，这使得它能够在高电压电路中正常运行，而不易发生击穿。这意味着它非常适合用于工业设备、能源转换和电源适配器等高电压转换场合。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的测试条件下，STB15N80K5 的最大连续漏极电流可达到 14A，这使得其能够满足多种应用下的电流要求，包括高功率电源和电机驱动。
导通电阻（Rds On）: 此元件在 7A 和 10V 的驱动电压下，其导通电阻最大为 375 毫欧。这一较低的导通电阻使得该 MOSFET 在开关之后能够显著降低功耗，改善系统的整体能效。
驱动电压（Vgs）: STB15N80K5 的驱动电压要求为 10V，最大允许栅极到源极电压（Vgs）为 ±30V。这使得其在驱动电路设计中十分灵活，适用多种信号控制方式。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷最大为 32nC，这为高频开关应用提供了良好的性能，决策了栅极驱动电路的效率和开关速度。
工作温度范围: STB15N80K5 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境下运行，适合军工、航空航天和汽车等可靠性要求高的行业。
封装类型: 此元件采用 D2PAK 封装，具有优良的热管理能力和可靠性。D2PAK 不仅方便表面贴装，同时也能在散热性能上进行优化，非常适合高功率应用。
应用领域
STB15N80K5 在多个领域中具备广泛的应用，你可以在以下几个方面看到它的身影：
开关电源: 由于其高压能力，STB15N80K5 是设计高效开关电源的理想选择。其低导通电阻和高效率表现能够有效降低电源损耗。
逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STB15N80K5 可用于DC-AC 转换。它能够承受大电流且表现出优良的开关特性，确保逆变器的高效率和稳定性。
电机驱动: 在电动机控制和驱动电路中，STB15N80K5 的高持续电流能力非常适合对电机负载进行精确控制，从而提升电机的工作效率。
自动化和工业控制: 在自动化控制系统中，STB15N80K5 可以作为高效开关元件被广泛用于各种工业设备的控制电路。
总结
综上所述，STB15N80K5 是一款功能强大、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET。其能够承受高电压、高电流，且兼具出色的开关性能和热管理能力。无论是在电力电子、汽车电子，还是在自动化控制领域，STB15N80K5 都是设计师们的优选器件。随着对高效能和高可靠性要求日益增加，STB15N80K5 将为现代电力转换和控制技术的发展提供强有力的支持。