晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 100mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,3V |
功率 - 最大值 | 10W | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 供应商器件封装 | TO-252 |
2SCR572D3TL1 是一款由罗姆(ROHM)公司设计的高性能 NPN 晶体管,封装形式为 TO-252,为表面贴装型(SMD)设计。该晶体管的额定功率可达 10W,适用于多种高效能电子应用。
集电极电流 (Ic)
该器件的最大集电极电流为 5A,使其能够在重载条件下稳定工作,适合在功率放大和开关电路中使用。
集射极击穿电压 (Vce)
其最大集射极击穿电压为 30V,这为设备提供了良好的电源兼容性,使其适合在需要较高电压的应用环境中工作。
饱和压降 (Vce(sat))
在 100mA 和 2A 的不同负载条件下,Vce 的饱和压降最大值为 400mV。这一特性意味着该晶体管在进行开关操作时,能够以较低的能耗转换状态,提高了整体能效。
截止电流 (ICBO)
截止状态时的集电极电流最大值为 1µA,这表明该器件在非导通状态时具有较高的绝缘性,适合低功耗场景。
DC 电流增益 (hFE)
在 500mA 的集电极电流下,电流增益的最小值为 200。这使得该晶体管在放大电路中表现出色,能够有效地提高信号的强度。
2SCR572D3TL1 的频率跃迁特性达到了 300MHz,意味着其在高频应用中也能稳定工作。广泛应用于开关电源、射频放大器和高频信号处理等领域。
该晶体管的工作温度范围可以达到150°C,极大地提高了其在高温环境下的适用性,使其能够在严苛条件下正常工作。
由于其优秀的电气性能,2SCR572D3TL1 适用于多种应用场景:
2SCR572D3TL1 使用 TO-252 封装形式,具有良好的散热性能,安装简便,适合大规模生产和工艺自动化。其紧凑设计为空间有限的电子电路提供了更多灵活性。
综上所述,2SCR572D3TL1 是一款在性能、可靠性和适用性上均表现卓越的 NPN 晶体管。无论是对于需要高功率、高电流、低饱和压降的应用,还是对频率性能和环境耐受性有特别要求的设计,2SCR572D3TL1 均能满足其需求。选择此款晶体管,将为您的设计带来显著的性能提升和可靠性保证,是现代电子设备和系统中不可或缺的重要元器件。