25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Tc) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 220pF @ 100V |
功率耗散(最大值) | 70W(Tc) | FET 类型 | N 通道 |
漏源电压(Vdss) | 950V | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.5nC @ 10V |
安装类型 | 通孔 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
STU5N95K5 是由意法半导体(STMicroelectronics)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,该器件具有卓越的电气特性和可靠性,适用于各种高电压和高效率的开关电源应用。以下是关于 STU5N95K5 的详细概述,涵盖其关键参数、技术特性以及应用领域。
漏源电压 (Vdss): STU5N95K5 的漏源电压高达 950V,适合用于需要处理高电压环境的应用。这使得它能够在高压电源中稳定工作,确保设备的安全性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 器件的最大连续漏极电流为 3.5A(在规定的工作条件下,Tc=25°C),意味着它能够承载相对较大的负载电流,符合多种电力需求。
功率耗散 (Pd): 该 MOSFET 具备高达 70W 的功率耗散能力,具备良好的散热性能,适合用于高功率应用,确保在长时间工作下器件不会过热。
输入电容 (Ciss): 最多可达 220pF@100V 的输入电容特性,提供了较低的输入负载,这对于高频开关应用尤为重要。
栅极电压 (Vgs): 栅极的最大电压为 ±30V,保证了它在驱动电路中的兼容性和灵活性。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动下,最大导通电阻为 2.5Ω@1.5A,具有较低的导通损耗,使得该器件在开关状态下的效率表现出色。
工作温度范围: STU5N95K5 的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,适应广泛的环境条件,满足工业级应用的严苛要求。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 12.5nC@10V,为快速开关操作提供了良好的支持。
STU5N95K5 采用 I-PAK 封装,这是一种适合通孔安装的封装形式,具备良好的热性能和机械稳定性,使得其在PCB上易于焊接,并在产品手册中确保设计师能够简单易行地将其集成到现有电路中。
由于其卓越的电气参数和性能,STU5N95K5 在多个领域得到了广泛的应用,包括但不限于:
开关电源: 适合用于各种开关电源(SMPS),如AC-DC电源转换、电源适配器等,提高电源效率。
电动机驱动: 可用于电动机驱动电路,如无刷直流电动机(BLDC)控制、步进电机驱动等。
照明设备: 特别适合用于LED驱动电源管理,确保资源高效使用。
逆变器: 在光伏逆变器和其他能源转换设备中能够有效地进行电能管理。
综合来看,STU5N95K5 N 通道 MOSFET 是一款高效能的电力电子器件,具有优异的高压高流、高功率能力以及低导通电阻特性。其宽广的工作温度范围和高电压承受力使其很容易适应各种复杂的应用环境。作为意法半导体的优秀产品,它体现了公司在电力电子领域的技术实力,仅凭其性能特征,就为设计工程师提供了丰富的设计灵活性。
无论是在新产品开发或电源系统改进中,选择 STU5N95K5 MOSFET 能够保证系统的高效性、稳定性和可靠性,从而在现代电子产品中占据不可或缺的重要地位。