注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF1310NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.92g
描述 :
场效应管(MOSFET) 160W 100V 42A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
32(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
6.1按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.1
--
100+
￥4.88
--
1000+
￥4.52
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF1310NPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 36 毫欧 @ 22A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1900pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF1310NPBF手册
无数据
IRF1310NPBF概述
IRF1310NPBF 产品概述
一、基本信息
IRF1310NPBF是一款高性能的N通道MOSFET场效应管，采用TO-220AB封装，具有出色的电气特性和广泛的应用领域。该器件由英飞凌（Infineon）制造，设计用于高效能的电源管理、开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等应用，能够在严苛的环境条件下稳定工作。
二、主要参数
电压和电流规格
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 最大连续漏极电流（Id）：42A（Tc条件下）
- 最大功率耗散：160W（Tc条件下）
导通电阻
- 最大Rds On（导通电阻）：36毫欧（@も22A，10V）。这个低导通电阻使得IRF1310NPBF在高电流应用中具有极低的功耗和热量产生，提升了整体系统的效率。
门电压和阈值
- 驱动电压范围：最大Rds On所需的驱动电压为10V。此外，Vgs（最大值）为±20V，确保在高电平下的可靠性。
- Vgs(th)（阈值电压）最大值：4V（@250µA），这样设计提高了在开关状态下的效率。
栅极电荷
- 栅极电荷（Qg）：最大值为110nC（@10V），这意味着在开关操作时，IRF1310NPBF能够快速充电和放电，提高开关速度和效率。
输入电容
- 输入电容（Ciss）：最大值为1900pF（@25V），有助于减小开关损耗，尤其是在高频开关操作中。
工作温度范围
- 工作温度：-55°C 至 175°C，适用于军事、汽车及工业等要求苛刻环境的应用场合。
三、封装与安装
IRF1310NPBF采用TO-220AB封装，这种封装形式具有良好的散热性能和较高的机械强度，安装类型为通孔，便于在各种电路板上进行焊接和更替，为设计者在产品布局上提供了灵活性。
四、应用领域
IRF1310NPBF的广泛应用领域包括但不限于：
开关电源：在AC-DC转换、DC-DC变换等场合中，IRF1310NPBF能够有效降低能量损失，提高转换效率。
电机驱动：在电动机控制系统中，MOSFET可用于高效的H桥电路，通过适当的驱动电压，实现对电机的精确控制。
高频开关电路：由于其较低的导通电阻和较小的栅极电荷，IRF1310NPBF特别适合高频操作，提高了系统的响应速度。
功率放大器：在RF应用中，能够提供高增益和大功率输出。
五、总结
总而言之，IRF1310NPBF是一款具备100V额定电压和42A额定电流的高效N通道MOSFET，适用于多种严苛电气环境。凭借其优秀的电气性能和广泛的温度工作范围，IRF1310NPBF适合诸如开关电源、电机驱动和电源管理等多种应用，是电力电子设计中的理想选择。对于追求高效能和可靠性的电子设计工程师而言，该产品无疑是一个理想的选择。