STN3N45K3

STN3N45K3产品概述

STN3N45K3是一款高性能的N沟道MOSFET场效应管，由意法半导体（STMicroelectronics）制造，专为高压和低功耗应用而设计。该器件在工业、电力和消费电子等领域中具有广泛的应用潜力，能够提供卓越的效能和可靠性。

基本参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压（Vds）: 450V
• 连续漏极电流（Id）: 600mA（在25°C的工作环境下）
• 最大驱动电压: Rds On 时10V
• 导通电阻（Rds On）: 对于500mA电流，导通电阻最大值为3.8Ω（在10V Vgs下）
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值4.5V（当漏极电流为50µA时）
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为6nC（在10V下测量）
• 最大栅源电压（Vgs）: ±30V
• 输入电容（Ciss）: 150pF（在25V下测量）
• 最大功率耗散: 3W（在环境温度下）
• 工作温度: 可达到150°C（结温）
• 封装类型: SOT-223（表面贴装型）

设计与应用优势

STN3N45K3的设计使其在多种应用中表现出色，包括开关电源、电机驱动、灯光控制和其他需要高压和高电流开关的电路。其高达450V的漏源电压使其非常适合用于高压电源模块，而600mA的连续漏极电流能力则为多种应用提供了灵活性。

MOSFET的低导通电阻和合理的栅极电荷，使得STN3N45K3能够在高频应用中快速切换，显著减少开关损耗，提高整体能效。这对于需要快速开关的应用（如开关电源和DC-DC变换器）尤为重要。此外，器件支持高达150°C的工作温度，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性，这为高温应用或空间受限的设备提供了极大的便利。

封装与安装

STN3N45K3采用SOT-223表面贴装封装，这种紧凑的封装形式在现代电子设备中越来越受欢迎。SOT-223封装具备良好的热性能和电气特性，使得该元件能够与PCB有效集成，进一步提升了设计的密度和整体性能。

综合性能

STN3N45K3的最大功率耗散能力为3W，这使其能够在较高的负载条件下稳定运行而不发生过热。此外，器件配备的阈值电压（Vgs(th)）和栅源电压范围（±30V）提供了灵活的驱动选项，确保其能够与多种驱动电路兼容。

总之，STN3N45K3通过其优越的电气特性、热性能以及高可靠性，成为了高压和高性能开关应用的理想选择。无论在电源管理、信号处理还是高频开关电路中，其都能够为设计工程师提供更多的设计自由度和选择，确保最终产品的性能和质量。