DGD0506AFN-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DGD0506AFN-7

商品编码: BM0000527714
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
WDFN303010
包装 : 
编带
重量 : 
0.029g
描述 : 
栅极驱动器
库存 :
10820(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
3.42
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.42
--
100+
¥2.75
--
750+
¥2.45
--
1500+
¥2.31
--
3000+
¥2.2
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DGD0506AFN-7参数

驱动配置半桥通道类型同步
驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 供电8V ~ 14V逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1.5A,2A输入类型CMOS/TTL
高压侧电压 - 最大值(自举)50V上升/下降时间(典型值)17ns,12ns
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)安装类型表面贴装型
封装/外壳10-WFDFN 裸露焊盘供应商器件封装W-DFN3030-10

DGD0506AFN-7手册

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DGD0506AFN-7概述

DGD0506AFN-7 产品概述

1. 产品简介

DGD0506AFN-7 是一款高性能的半桥栅极驱动器,专为高效能电源管理和驱动 N 沟道 MOSFET 设计。该器件主要用于各种应用环境中,包括电机驱动、DC-DC 转换器和其他需要高压栅极驱动的场景。它的主要特点包括宽工作电压范围、优秀的驱动能力及快速的开关速度,使其成为电源管理和开关电路的理想选择。

2. 关键参数

  • 驱动配置:DGD0506AFN-7 采用半桥驱动配置,这意味着它能够有效驱动两个 N 沟道 MOSFET,提供出色的功率转换效率和热管理性能。
  • 供电电压:该元件支持供电电压范围为 8V 至 14V,满足多种电源电压要求。
  • 逻辑电压:输入逻辑电压的阈值设计为 VIL = 0.8V 和 VIH = 2.4V,兼容 CMOS 和 TTL 信号,易于与多种微控制器和数字信号处理器接口。
  • 电流能力:其峰值电流输出能力为灌入 1.5A 和拉出 2A,能够快速充放电栅极,确保 MOSFET 的快速开关。
  • 自举电压:高压侧最大自举电压可达 50V,适应大功率应用,确保在复杂电路中的安全运行。
  • 开关速度:上升时间为典型的 17ns,下降时间为 12ns,确保了高速开关特性,预防导通损耗。
  • 工作温度:其工作温度范围为 -40°C 到 125°C,意味着该元件可以在恶劣环境下稳定工作,适合于汽车、工业与消费类电子等多种应用。
  • 封装类型:采用表面贴装型的 10-WFDFN 裸露焊盘封装,具有优秀的散热性能和紧凑的外形,从而提高了布线设计的灵活性。

3. 应用场景

DGD0506AFN-7 的广泛应用包括:

  • 电机驱动:在电机控制应用中,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机,DGD0506AFN-7 可以有效控制电机的转动方向和速度。
  • DC-DC 转换器:作为开关电源的关键组成部分,该驱动器能有效提高转换效率,改善输出稳定性。
  • 电源管理:在推进电源管理系统的智能和高效方面,该器件能够支持监测和调节电压、功率负载与电流。
  • 消费电子产品:如电池管理系统(BMS)、可穿戴设备等,需在小体积内实现高效率和快速响应。

4. 结语

综上所述,DGD0506AFN-7 是一款高度集成的半桥栅极驱动器,以其优异的性能、宽广的适用范围以及可靠的工作特性成为现代电源管理和驱动系统中不可或缺的组件。其卓越的开关特性和广泛的应用场景使其成为设计师在选择栅极驱动器时的理想选择。无论是在高压应用还是高频开关场合,DGD0506AFN-7 都能提供强大的能力和灵活性,帮助实现更高效的电子设计与应用。