驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 8V ~ 14V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.4V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.5A,2A | 输入类型 | CMOS/TTL |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 50V | 上升/下降时间(典型值) | 17ns,12ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 10-WFDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | W-DFN3030-10 |
DGD0506AFN-7 是一款高性能的半桥栅极驱动器,专为高效能电源管理和驱动 N 沟道 MOSFET 设计。该器件主要用于各种应用环境中,包括电机驱动、DC-DC 转换器和其他需要高压栅极驱动的场景。它的主要特点包括宽工作电压范围、优秀的驱动能力及快速的开关速度,使其成为电源管理和开关电路的理想选择。
DGD0506AFN-7 的广泛应用包括:
综上所述,DGD0506AFN-7 是一款高度集成的半桥栅极驱动器,以其优异的性能、宽广的适用范围以及可靠的工作特性成为现代电源管理和驱动系统中不可或缺的组件。其卓越的开关特性和广泛的应用场景使其成为设计师在选择栅极驱动器时的理想选择。无论是在高压应用还是高频开关场合,DGD0506AFN-7 都能提供强大的能力和灵活性,帮助实现更高效的电子设计与应用。