功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 80pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@4.5V,4.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 930pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 150mV@250uA |
绝缘栅场效应管(MOSFET)是一种重要的电子元器件,广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动以及各种类负载的控制等领域。AO3415C是AOS公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用SOT-23封装,具有优秀的电气性能与可靠性,适合于多种应用场景。本文将对AO3415C的主要特性、应用领域以及优势进行深入探讨。
电气特性:
频率响应:
热特性:
封装:
AO3415C广泛应用于多个电子产品和设备中,其主要应用场景包括:
开关电源:由于其低导通电阻和高频响应特性,AO3415C能够在开关电源设计中有效降低功耗,提高效率。
马达驱动:在各种电动机控制中,利用AO3415C的高频开关能力和高耐压特性,可以实现对电机的精确控制和驱动。
LED驱动:AO3415C可用于LED驱动电路,确保高效的电流控制,并避免因过电流导致LED损坏。
智能家居与物联网设备:由于其小巧的封装和低功耗特性,AO3415C适用于现代智能设备,特别是在便携式和电池供电设备中。
AO3415C作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能、热性能以及设计灵活性,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要元器件。无论是在高效的电源管理系统还是在对功耗控制敏感的智能设备中,AO3415C都能为用户带来显著的价值,是市场上值得信赖的选择之一。