AO3415C 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO3415C

商品编码: BM69420200
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
988(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.574
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.574
--
200+
¥0.371
--
1500+
¥0.322
--
3000+
¥0.285
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO3415C参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)80pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@4.5V,4.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)930pF@10V连续漏极电流(Id)4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)150mV@250uA

AO3415C手册

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AO3415C概述

AO3415C 产品概述

引言

绝缘栅场效应管(MOSFET)是一种重要的电子元器件,广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动以及各种类负载的控制等领域。AO3415C是AOS公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用SOT-23封装,具有优秀的电气性能与可靠性,适合于多种应用场景。本文将对AO3415C的主要特性、应用领域以及优势进行深入探讨。

主要特性

  1. 电气特性

    • 低导通电阻(R_DS(on)):AO3415C具有非常低的导通电阻,通常在几个毫欧以下,这使得其在通电状态下的功耗很低,有利于提高整体系统的能效。
    • 高临界电压(V_GS):该MOSFET的栅源电压下限能够满足多种逻辑电平驱动,从而增强了其适应性。
    • 高耐压:AO3415C通常具有较高的耐压特性,能够承受较高的工作电压,使得其在大电流场景下也能保持安全稳定的运行。
  2. 频率响应

    • AO3415C的开关速度非常快,适合高频开关应用。这使得其在开关电源和高频转换电路中表现出色,有助于减小整体电路的体积。
  3. 热特性

    • MOSFET的热阻较低,具备良好的散热性能,能够在较高温度环境下正常工作。这为设计者提供了更大的设计灵活性,尤其是在对散热有较高要求的应用中。
  4. 封装

    • AO3415C采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于在空间有限的电路板上进行布局。这种封装形式不仅降低了材料成本,同时也提高了组装效率。

应用领域

AO3415C广泛应用于多个电子产品和设备中,其主要应用场景包括:

  1. 开关电源:由于其低导通电阻和高频响应特性,AO3415C能够在开关电源设计中有效降低功耗,提高效率。

  2. 马达驱动:在各种电动机控制中,利用AO3415C的高频开关能力和高耐压特性,可以实现对电机的精确控制和驱动。

  3. LED驱动:AO3415C可用于LED驱动电路,确保高效的电流控制,并避免因过电流导致LED损坏。

  4. 智能家居与物联网设备:由于其小巧的封装和低功耗特性,AO3415C适用于现代智能设备,特别是在便携式和电池供电设备中。

优势与竞争力

  • 高效能与低功耗:AO3415C凭借其低导通电阻,显著降低了功耗,对于提升设备的能效至关重要。
  • 高可靠性:AOS作为半导体行业的知名品牌,其产品经过严格的测试和验证,确保在各种应用环境下的可靠性,得到市场的广泛认可。
  • 灵活的适用性:AO3415C适用于多种工作环境和应用,可以满足从消费电子到工业控制等不同领域的需求,易于与各类电路设计集成。

结论

AO3415C作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气性能、热性能以及设计灵活性,成为现代电子产品设计中不可或缺的重要元器件。无论是在高效的电源管理系统还是在对功耗控制敏感的智能设备中,AO3415C都能为用户带来显著的价值,是市场上值得信赖的选择之一。