ZXT11N15DFTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXT11N15DFTA

商品编码: BM0000515327
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.02g
描述 : 
三极管(BJT) 625mW 15V 3A NPN SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.67
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.67
--
100+
¥1.33
--
750+
¥1.2
--
1500+
¥1.13
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXT11N15DFTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)15V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 150mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 200mA,2V
功率 - 最大值625mW频率 - 跃迁145MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

ZXT11N15DFTA手册

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ZXT11N15DFTA概述

ZXT11N15DFTA 产品概述

概述

ZXT11N15DFTA是一款高性能NPN型晶体管,专为各种电子应用设计,特别适用于开关和放大电路。其具有卓越的电流特性和可靠的工作参数,同时支持高频操作,为现代电子设备提供了强大的功能。该元器件由知名半导体制造商DIODES(美台)提供,采用先进的技术生产,保证了其在各种严苛环境下的稳定性和可靠性。

基础参数

ZXT11N15DFTA的主要规格参数如下:

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流(Ic): 3A
  • 最大集射极击穿电压(Vce): 15V
  • Vce饱和压降(Vce(sat)): 在150mA至3A范围内,最大值为150mV,这在高电流应用中能够有效降低功耗。
  • 最大集电极截止电流(Icbo): 100nA,表明该元器件在关闭状态下表现出极低的泄漏电流,有助于提高电路效率。
  • DC电流增益(hFE): 该器件在200mA和2V时的最小值为300,确保在各种负载下存在足够的增益。
  • 最大功率: 625mW,适合中等功率的应用场合。
  • 频率特性: 最大跃迁频率为145MHz,使得该器件适用于高频信号的处理。
  • 工作温度范围: -55°C至150°C的广泛温度范围,适合在恶劣环境中工作。
  • 安装类型: 表面贴装(SMD),便于自动化生产和组装。
  • 封装类型: 采用SOT-23-3封装,这种小型封装适合空间受限的应用。

应用场景

ZXT11N15DFTA广泛应用于以下场景:

  1. 开关电源: 由于其高集电极电流和低饱和压降特性,该晶体管非常适合用于电源开关转换、DC-DC转换器等应用。
  2. 音频放大器: 广泛应用于音频信号的增幅,特别是在需要高增益和低失真的场合。
  3. 马达驱动控制: ZXT11N15DFTA也适合用于小型电动马达的驱动,在电机控制电路中表现出色。
  4. RF信号放大: 其高频特性使得它适合用于无线通信设备的信号放大器中,提升信号质量。
  5. 电池管理系统: 由于其低功耗特性,适合在电池管理和保护电路中使用,延长电池寿命。

选型与优势

在选择ZXT11N15DFTA作为您的设计元件时,您可以获得以下优势:

  • 高效率: 较低的饱和压降意味着在开关状态下的能量损失较小,从而提高整体效率。
  • 稳定性: 宽工作温度范围与低泄漏电流特性,使得该器件在复杂环境下也能保持稳定,确保设备的可靠性。
  • 紧凑封装: SOT-23封装便于设计师在有限的电路空间内进行布局,特别适合现代小型电子产品的需求。
  • 优秀的增益表现: 其高DC电流增益使得在低信号水平下依然能够获得显著的增益,适合多种需要低输入控制的应用。

综上所述,ZXT11N15DFTA是一款功能强大、性能可靠并且适合多种应用的NPN晶体管,能够为您的电子设计提供理想的解决方案。无论是在开关电源、音频放大还是RF信号处理,ZXT11N15DFTA都能发挥其卓越的性能,是电子工程师不可或缺的选择之一。