FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 173A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.3 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 150µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 210nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7020pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 230W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB7537PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名的半导体厂商 Infineon(英飞凌)生产。该器件采用 TO-220AB 封装,能够提供优异的电流承载能力和热管理性能,广泛应用于电源管理、逆变器、电动汽车驱动以及其他高效能开关电源设计中。
IRFB7537PBF MOSFET 由于其优越的技术参数,广泛应用于以下几个领域:
IRFB7537PBF 的工作温度范围为 -55°C ~ 175°C(TJ),使其能够在恶劣环境条件下稳定运行,适合军用、航空航天和工业应用等高要求的应用场合。
总的来说,IRFB7537PBF 是一款非常值得推荐的高功率 N 通道 MOSFET。其在多种应用场合中展现出色的性能和可靠性为其赢得了广泛的市场认可。通过选择 IRFB7537PBF,设计工程师能够有效应对现代电子产品日渐增加的能效需求,实现更高效、更稳定的电源管理解决方案。