IRFB7537PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB7537PBF

商品编码: BM0000514895
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 230W 60V 173A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
755(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.11
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.11
--
100+
¥2.49
--
1000+
¥2.31
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB7537PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)173A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 150µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)210nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)7020pF @ 25V
功率耗散(最大值)230W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB7537PBF手册

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IRFB7537PBF概述

产品概述:IRFB7537PBF N-channel MOSFET

概述

IRFB7537PBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由全球知名的半导体厂商 Infineon(英飞凌)生产。该器件采用 TO-220AB 封装,能够提供优异的电流承载能力和热管理性能,广泛应用于电源管理、逆变器、电动汽车驱动以及其他高效能开关电源设计中。

主要特点

  • 高漏源电压: IRFB7537PBF 的漏源电压(Vdss)高达 60V,使其适合用于中等电压应用,能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
  • 高连续漏极电流: 在 25°C 的环境温度下,IRFB7537PBF 支持连续漏极电流达到 173A。这一特性使其在高功率应用中表现出色,尤其适合需要大电流传输的场合。
  • 低导通电阻: 在 Vgs 为 10V 时,导通电阻(Rds(on))的最大值为 3.3毫欧 @ 100A,确保了在高电流工作状态下的低功率损耗,进一步提高了系统的能效和可靠性。
  • 良好的栅极阈值电压: Vgs(th) 的最大值为 3.7V @ 150µA,使得其在小信号驱动情况下也能有效开启,有利于直接与微控制器或数字信号处理器接口连接。
  • 较大的输入电容: 输入电容(Ciss)最大值为 7020pF @ 25V,为高频应用提供了丰富的储能能力,满足快速开关的要求。
  • 高功率耗散能力: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 230W,使其能够在高负载条件下稳定工作,减少因过热而造成的潜在故障风险。

应用领域

IRFB7537PBF MOSFET 由于其优越的技术参数,广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源转换器: 在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器中,作为主开关器件以提高转换效率和降低热损耗。
  2. 电动汽车: 在电动汽车的驱动系统中,作为电流开关元件,以实现高效的电能转化和控制。
  3. 太阳能逆变器: 利用其高效率和耐高温能力,在可再生能源系统中支撑可靠的能量转换。
  4. 工业自动化: 在电动机驱动、机器人控制等系统中,通过高效的控制算法使用 IRFB7537PBF 进行高频开关操作。

工作环境

IRFB7537PBF 的工作温度范围为 -55°C ~ 175°C(TJ),使其能够在恶劣环境条件下稳定运行,适合军用、航空航天和工业应用等高要求的应用场合。

结论

总的来说,IRFB7537PBF 是一款非常值得推荐的高功率 N 通道 MOSFET。其在多种应用场合中展现出色的性能和可靠性为其赢得了广泛的市场认可。通过选择 IRFB7537PBF,设计工程师能够有效应对现代电子产品日渐增加的能效需求,实现更高效、更稳定的电源管理解决方案。