ZVN4210A 产品实物图片
ZVN4210A 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZVN4210A

商品编码: BM0000514883
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
EP3SC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
N-Channel 100 V 1.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-TO-92
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.05
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.05
--
100+
¥2.44
--
1000+
¥2.18
--
2000+
¥2.06
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN4210A参数

制造商Diodes Incorporated包装散装
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)450mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)700mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-92-3
封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)漏源电压(Vdss)100V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)100pF @ 25V

ZVN4210A手册

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ZVN4210A概述

ZVN4210A 产品概述

产品背景

ZVN4210A 由 Diodes Incorporated 生产,是一款高性能的 N 通道增强型 MOSFET。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)广泛应用于电子设备中,因其较低的导通电阻和快速的开关特性而备受青睐。ZVN4210A 采用了先进的垂直 DMOS 技术,特别适用于低电流和低压应用场景。

关键参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 零件状态: 有源
  • 类型: N 通道 MOSFET
  • 封装: TO-92-3,供应商器件封装为 EP3SC。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,适合多种极端环境使用。

电气特性

  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下,ZVN4210A 承载的最大连续漏极电流为 450mA。这一参数使得该器件非常适合用于低功率控制和信号开关。
  • 漏源电压 (Vdss): 100V 的承受能力使其能够处理较高电压的应用场景,为设计师提供了更大的灵活性。
  • 驱动电压: 该产品在 5V 和 10V 驱动电压下具有最佳的 Rds On,分别可达到 1.5 欧姆的导通电阻。在 10V 驱动电压下,当 Id 为 1.5A 时,能够有效减少功耗和热量生成,保证MOSFET的高效运行。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.4V @ 1mA,表明器件的开启电压较低,有助于在低电压环境下实现高效能。
  • 功率耗散: 该器件在 25°C 环境下的最大功率耗散为 700mW,能够有效管理器件的发热,确保其在性能与稳定性方面表现优异。

功能特性

ZVN4210A 最显著的特性之一是较低的导通电阻,这使其在开关电源变换器、马达控制以及其他需要具备能效与功率管理的应用中表现出色。此外,该器件的输入电容(Ciss)在 25V 下最大为 100pF,表明其在高频应用中的良好表现,适合高效开关应用。

应用场景

由于 ZVN4210A 的多种优越性能,其应用领域非常广泛,包括但不限于:

  • 开关电源: 作为开关元件,可用于 DC-DC 转换器,显著提升系统的能量传输效率。
  • 马达驱动: 在低电压和低功率马达驱动器中,能够快速响应并准确控制马达的启停。
  • 顺序开关和信号开关: 在各种电子设备中,ZVN4210A 可以满足信号开关需求,确保信号的高效传递而不引入过多干扰。
  • 消费电子产品: 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,提升其整体运行性能。

结论

综合考虑,ZVN4210A 是一款功能强大、性能优异的 N 通道增强型 MOSFET。其高电压和电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种应用场景下的理想选择。对于需要优化能效、提高性能,使电子产品更为可靠的设计工程师而言,ZVN4210A 无疑是一个值得信赖的选择。在此数字化时代,ZVN4210A 的强大能力将助力电子行业的创新与发展。