制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 散装 |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 450mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.5 欧姆 @ 1.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | 漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 100pF @ 25V |
ZVN4210A 由 Diodes Incorporated 生产,是一款高性能的 N 通道增强型 MOSFET。MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)广泛应用于电子设备中,因其较低的导通电阻和快速的开关特性而备受青睐。ZVN4210A 采用了先进的垂直 DMOS 技术,特别适用于低电流和低压应用场景。
ZVN4210A 最显著的特性之一是较低的导通电阻,这使其在开关电源变换器、马达控制以及其他需要具备能效与功率管理的应用中表现出色。此外,该器件的输入电容(Ciss)在 25V 下最大为 100pF,表明其在高频应用中的良好表现,适合高效开关应用。
由于 ZVN4210A 的多种优越性能,其应用领域非常广泛,包括但不限于:
综合考虑,ZVN4210A 是一款功能强大、性能优异的 N 通道增强型 MOSFET。其高电压和电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,使其成为各种应用场景下的理想选择。对于需要优化能效、提高性能,使电子产品更为可靠的设计工程师而言,ZVN4210A 无疑是一个值得信赖的选择。在此数字化时代,ZVN4210A 的强大能力将助力电子行业的创新与发展。