注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STP6N95K5
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 90W 950V 9A 1个N沟道 TO-220
库存 :
461(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.86按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.86
--
100+
￥3.89
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP6N95K5参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | SuperMESH5™ |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 950V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 450pF @ 100V | 基本产品编号 | STP6N |
STP6N95K5手册
无数据
STP6N95K5概述
产品概述：STP6N95K5 N沟道MOSFET
STMicroelectronics推出的STP6N95K5是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其在电力电子和功率管理应用中展现出卓越的性能特征。该产品属于其知名的SuperMESH5™系列，为半导体行业提供了更高的效率和可靠性。
主要特性
高电流与电压额定值：
- STP6N95K5设计的连续漏极电流可达9A（在自身温度条件下），并可以在高达950V的漏源电压下稳定工作，这使得它非常适合用于高压和高电流的应用场景。
低导通电阻：
- 导通电阻（Rds(on)）可达1.25Ω（在10V的栅极驱动下，电流为3A时），这一特性大幅降低了在导通状态时的功率损耗，提升了电路的整体效率。
优越的散热能力：
- 该器件的功率耗散能力高达90W（在适宜的散热条件下），并且其工作温度范围宽广，从-55°C 到 150°C，使其能够在苛刻的环境条件下可靠运行。
栅极驱动电压：
- 该器件的栅极开启电压（Vgs(th)）最大值为5V（在100µA时测得），并且Vgs的最大值能达到±30V，这为设计师提供了灵活性，可在多种驱动条件下工作。
低输入电容：
- 输入电容（Ciss）在100V时，最大值为450pF，这有助于在快速开关频率下保持低的开关损耗。
小型封装：
- STP6N95K5采用TO-220-3封装，适合通孔安装，提供了良好的散热性能，并为系统设计提供了简便的集成方式。
应用场景
STP6N95K5适用于多种行业和应用，包括但不限于：
- 开关电源：作为开关元件使用，提高能量转换效率。
- 电机驱动：在电动机控制电路中提供高效的电流控制。
- 电力转换器：在逆变器和升压/降压转换器中充当关键元件，以确保高效能量传输。
- 照明控制：用于LED驱动电路中，以实现高效的亮度调节和开关控制。
- 电池管理系统：在电池充放电过程中，提供精确的电流和电压控制。
结论
STP6N95K5是STMicroelectronics的一款高效能N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流及低导通电阻的特性，成为电力电子领域内功能强大且极具吸引力的解决方案。无论是在工业自动化、消费电子，还是可再生能源等多种应用中，STP6N95K5都能为设计师提供可靠的性能支持，助力其开发更高效、稳定的电源管理系统。其耐高温和高功率的特点，使其在苛刻环境下也能保证长期稳定工作，真正体现了STMicroelectronics致力于为客户提供创新、高质量电子元件的企业愿景。