AOSP66923 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOSP66923

商品编码: BM0000514870
品牌 : 
AOS
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 100V 12A 1个N沟道 SO-8
库存 :
338(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.94
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.94
--
100+
¥1.56
--
750+
¥1.39
--
1500+
¥1.31
--
3000+
¥1.25
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOSP66923参数

功率(Pd)2W反向传输电容(Crss@Vds)7.5pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@4.5V,10A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@10V
漏源电压(Vdss)100V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.725nF@50V连续漏极电流(Id)12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.6V@250uA

AOSP66923手册

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AOSP66923概述

AOSP66923 产品概述

产品名称: AOSP66923
类型: N沟道场效应管 (MOSFET)
封装类型: 8引脚 SO-8
额定功率: 3.1W
最高电压: 100V
最大电流: 12A

一、产品背景

AOSP66923 是由 AOS (Alpha and Omega Semiconductor) 生产的一款高性能 N沟道 MOSFET。这种场效应管在电子电路中发挥着关键作用,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率管理领域。由于其较高的电流和电压特性,使得 AOSP66923 在高效能和高功率应用中展现出卓越的表现。

二、基本特性

  1. 电气参数:

    • 电压: AOSP66923 支持最高工作电压为100V,适合用于高压应用,保障电路的稳定性和安全性。
    • 电流: 该器件能够承受最高12A的连续工作电流,满足大多数功率应用的需求。
    • 功率损耗: 在额定条件下,功率损耗可控在3.1W,为系统提供高效的功率转换能力。
  2. 开关特性:

    • AOSP66923 具有快速的开关特性,能够有效提升开关频率,从而提高电源转换效率。这在需要快速开关的应用中显得尤为重要,如高频开关电源和信号处理设备。
  3. 热管理:

    • MOSFET 的热管理是确保其长期可靠性的关键。AOSP66923 使用SO-8封装,具有良好的热散发性能,能够在较高的工作温度下稳定运行。
  4. 栅极特性:

    • 此器件具有较低的栅极阈值电压,确保在低电压条件下也能顺利开启,减少设计的复杂性,提供更好的电源效率。

三、应用领域

AOSP66923 广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源:

    • 用于各种 DC-DC 转换器,如升压、降压、反激式变换器等,帮助实现高效的电能转换。
  2. 电机驱动:

    • 在电机控制和驱动电路中,AOSP66923 可以作为开关元件,提供稳定的运行和精确的控制。
  3. LED 驱动:

    • 在LED驱动电路中,由于对电流的精准调节能力,AOSP66923 可用于调节LED亮度,满足不同的光照需求。
  4. 消费电子:

    • 在手机充电器、笔记本适配器等消费电子产品中,此类MOSFET 被广泛应用于电源管理模块,以提供高效能、低损耗的解决方案。

四、总结

总之,AOSP66923 是一款性能优异的N沟道MOSFET,凭借其高电压、高电流及稳定的开关特性,适合各种需要高功率和高效率的应用。无论是在工业、消费电子还是高频电源等领域,AOSP66923 都能够为设计师提供可靠的解决方案。考虑到当前对高效能、高性能电子组件的需求,AOSP66923 不仅提升了产品的竞争力,更是现代高科技电路设计不可或缺的关键器件。