FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 140 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 3.7µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .8nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 143pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT323-3 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
一、产品简介
BSS214NWH6327XTSA1 是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的小型 N 沟道 MOSFET,采用 SOT-323 (SC-70) 封装,专为低功耗应用设计。它的最大漏源电压(Vdss)为 20V,连续漏极电流(Id)为 1.5A,具有优异的开关性能和低导通电阻特性。这款 MOSFET 适用于各种电子电路,特别是需要高频开关和低导通损耗的场景,能够为设计工程师提供灵活性和高效性。
二、关键规格
三、应用领域
BSS214NWH6327XTSA1 由于其紧凑型封装和卓越的性能,非常适合以下应用:
四、产品优点
五、结论
BSS214NWH6327XTSA1 是一款功能强大且具备高度可靠性的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能与稳定性,能够满足各种电子应用的需求。无论是在高效电源管理、信号切换,还是在高频开关应用中,它都是理想之选。设计工程师可以通过集成 BSS214NWH6327XTSA1 来提升他们的产品性能与能效,从而在竞争激烈的市场中获得优势。通过将这一元件应用于设计中,工程师能够有效降低系统成本,提高设计的灵活性与适应性,助力电子设备更高效地运行。