类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 6.3V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 6.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 12.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 30A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 375W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 200pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 0402(1006 公制) | 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
D6V3H1U2LP-7B是一款高性能的齐纳二极管,专门设计用于为敏感电子元件提供静电放电(ESD)保护。这款器件具有优异的电气特性和可靠性,适用于多种应用场合,从而满足电子设备的多样化需求。
本器件的反向断态电压(V_R)典型值为6.3V,最大值亦在这个范围内。其击穿电压(V_br)在最小值为6.5V,确保在瞬态高电压情况下能够及时触发,保护下游电路。器件的电压箝位特性表现出色,在不同的脉冲电流(Ipp)条件下,最大电压限制为12.5V,这为连接到微控制器和其他高度敏感的集成电路的应用提供了良好的保护。
D6V3H1U2LP-7B的峰值脉冲电流可以达到30A(在8/20µs脉冲宽度下),而其峰值功率可达375W。这样的脉冲处理能力使其能够抵御突发的电压尖峰,保护精密电路组件,尤其是在工业和消费电子产品中具有重要应用。
D6V3H1U2LP-7B广泛应用于电脑、通讯设备、医疗器械、家用电器等各类电子装置。由于其优秀的ESD保护性能,器件能够保护数据接口、通信线缆和其他潜在的ESD暴露位置,大大降低因静电引起的硬件损坏风险。
特别是在现代设备中,随着高频信号和小型化设计的不断发展,D6V3H1U2LP-7B的200pF @ 1MHz的电容特性使其在高速数据传输中仍能有效运行,确保信号的完整性与可靠性。
该器件的工作温度范围为-65°C至150°C,赋予其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。无论是在极端严酷的工作条件还是常温环境中,D6V3H1U2LP-7B均能保持一致的性能表现。
在安装形式上,该器件采用表面贴装型设计,封装规格为0402(1006公制),优良的封装设计不仅方便自动化生产线的高速贴装,也保证了器件的较小占板面积,是高密度电路板设计的理想选择。
D6V3H1U2LP-7B作为DIODES(美台)推出的静电放电保护器件,其众多卓越特性使其在各类电子产品中扮演了至关重要的角色。通过高击穿电压、出色的脉冲承受能力和宽广的工作温度范围,本器件为设计师提供了针对静电引发问题的可靠解决方案,帮助客户提升产品的耐用性和市场竞争力。
总之,D6V3H1U2LP-7B是一款高效、可靠的ESD保护器件,适合用于各种现代电子设备,是保护电子元件的理想选择。无论是在移动设备、消费电子还是工业自动化等领域,该器件凭借其卓越的性能均能做到出色表现,为所用设备提供全面保护。