STF28N65M2
STF28N65M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1440pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF28N65M2手册
STF28N65M2概述
STF28N65M2 产品概述
概述
STF28N65M2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具备出色的性能指标，非常适合用于高电压应用，如开关电源、逆变器、灯具驱动和电机控制等。借助于650V的漏源电压（Vdss）和高达20A的连续漏极电流（Id），STF28N65M2能在多种苛刻的工作环境中提供可靠的性能。
关键性能参数
漏源电压（Vdss）: STF28N65M2的最大漏源电压为650V，使其能够适用于高电压应用场合，确保在高压工作条件下的稳定性与安全性。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的温度条件下，STF28N65M2的连续漏极电流达到20A（Tc），展现出其在满足高负载能力方面的优秀表现。
导通电阻（Rds(on)）: 当Vgs施加为10V，并在10A的工作电流条件下，最大导通电阻为180毫欧。这一指标确保了在导通状态下的功率损耗最低，从而提高电源转换效率。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: STF28N65M2的栅极阈值电压最大为4V（@250µA），这意味着在较低的栅极驱动电压下即可实现MOSFET有效导通，便于与微控制器等低电压控制设备兼容。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为35nC（@10V），此参数表明该MOSFET在栅极驱动的快开与快关特性方面表现良好，适用于高频开关应用。
功率耗散（Pd）: STF28N65M2在Tc下的最大功率耗散为30W，具有良好的散热性，适合配置于高功率电路中。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围高达150°C（TJ），具有极好的耐热性能，适合于恶劣环境和高温工作条件下长期运行。
封装形式: STF28N65M2采用TO-220FP封装，便于散热，具有良好的机械强度和适合多种安装方式的特性。这种封装形式非常适合高功率应用，使得散热效果更佳。
应用场景
STF28N65M2适用于多种电源管理和转换硬件，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）: 利用其高电压和高电流能力，提高开关电源的效率与稳定性。
- 逆变器: 在光伏、风能等可再生能源逆变器中，用于将直流电转换为交流电。
- 电机驱动: 在电机驱动电路中，STF28N65M2可以用作开关元件，提升电机控制效率。
- LED驱动: 在LED照明系统中，利用其高 Efficiency 和快速开关能力，提高灯具的性能。
结论
STF28N65M2是一款性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET，具有650V的高压等级和高达20A的电流承载能力，适合于多种高电压和高功率的电子电路设计。借助其低导通电阻和快速开关特性，该器件确保了应用系统的高效率与可靠性，成为设计工程师在开发现代电力电子产品时的理想选择。无论是开关电源、逆变器还是电机驱动，STF28N65M2均能够轻松胜任，实现高效能和卓越的系统性能。