功率(Pd) | 170W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 261pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 109.3nC |
漏源电压(Vdss) | 82V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 6.8nF@25V | 连续漏极电流(Id) | 95A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
NCE8295A是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率达到170W,最大漏源电压为82V,能够承载最大电流95A。该MOSFET采用TO-220-3L封装,具有良好的热性能和散热能力,非常适合在高功率和高电流应用中使用。NCE(新洁能)是国内知名的半导体制造商,凭借其卓越的产品质量和性能,NCE8295A被广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。
NCE8295A广泛运用于多种应用领域,包括但不限于:
相比于同类型产品,NCE8295A不仅具备更高的功率及电流处理能力,还在可靠性及热管理上表现出色。由于其优秀的热性能,用户可以轻松设计更紧凑和高效的散热方案,注重产品的整体布局和运营效率。此外,其适应性强,能够在各种工作环境中保持稳定运行,这对于工业及商业应用来说至关重要。
NCE8295A是一款非常优秀的高功率N沟道MOSFET,凭借卓越的电性特征和广泛的应用前景,能够满足现代电子产品在能效和性能方面的高要求。无论是开关电源、马达驱动,还是电力转换设备,NCE8295A都是设计人员的理想选择,可以为开发出更高效、高可靠性的电子产品提供强劲支持。