FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.9 毫欧 @ 56A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 130nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3150pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 98W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR7446TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRFR7446TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高效电源管理和开关应用。由英飞凌(Infineon)制造,该器件采用表面贴装型封装(TO-252-3或D-Pak),其优异的电气特性使其成为现代电子设计中的理想选择。此款MOSFET的关键参数,包括40V的漏源电压、最大56A的连续漏极电流以及高达98W的功率耗散能力,使其在功率领域中找到了广泛的应用。
二、技术规格
三、应用场景
IRFR7446TRPBF的广泛应用主要集中在以下几个领域:
四、优势特点
五、总结
IRFR7446TRPBF作为一款高效、性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其出色的电流和电压承载能力,广泛适用于各种电源管理和开关应用。英飞凌的技术和设计确保了该产品在激烈竞争市场中的领先地位。其适用的工作温度范围及低功耗特性,赋予其在汽车和工业自动化等领域的广泛适应性。通过选用IRFR7446TRPBF,工程师可以在保证性能的同时,实现更高的设计灵活性与功率效率。