IRFR7446TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR7446TRPBF

商品编码: BM0000225960
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
0.481g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 98W 40V 56A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
469(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
2.53
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.53
--
100+
¥1.95
--
1000+
¥1.7
--
2000+
¥1.6
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR7446TRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.9 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)130nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3150pF @ 25V
功率耗散(最大值)98W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR7446TRPBF手册

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IRFR7446TRPBF概述

IRFR7446TRPBF 产品概述

一、产品简介

IRFR7446TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高效电源管理和开关应用。由英飞凌(Infineon)制造,该器件采用表面贴装型封装(TO-252-3或D-Pak),其优异的电气特性使其成为现代电子设计中的理想选择。此款MOSFET的关键参数,包括40V的漏源电压、最大56A的连续漏极电流以及高达98W的功率耗散能力,使其在功率领域中找到了广泛的应用。

二、技术规格

  1. FET类型:N通道
  2. 技术:MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  3. 漏源电压(Vdss):40V
  4. 连续漏极电流(Id):最大56A(在25°C时)
  5. 驱动电压:适合于6V至10V的工作环境
  6. 导通电阻:在10V驱动电压和56A电流下,最大Rds(on)为3.9毫欧,表现出优异的导电性能和低的功率损耗。
  7. 阈值电压(Vgs(th)):在100µA的条件下,最大值为3.9V,显示出良好的开关特性。
  8. 输入电容(Ciss):在25V下最大值为3150pF,有助于在高频应用中提供更稳定的性能。
  9. 栅极电荷(Qg):在10V下,最大值为130nC,适合快速开关应用。
  10. 工作温度范围:-55°C至175°C(TJ),适合严酷工作环境。
  11. 功率耗散:最大值为98W(在25°C的环境下),极大提高了其功率处理能力。

三、应用场景

IRFR7446TRPBF的广泛应用主要集中在以下几个领域:

  1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)及其他电源输入输出电路。
  2. 电动机驱动:可以用于各种电动机控制系统,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动。
  3. 汽车电子:适合用于车辆的电源分配、LED驱动及电池管理系统(BMS)。
  4. 工业控制:在自动化控制领域中,用于电源开关和负载驱动。
  5. 消费电子产品:可应用于个人计算机、摄像机和其他电子设备的电源管理。

四、优势特点

  • 高耐压与高电流:40V的耐压能力和56A的高电流承载,相比于市场上同类产品提供了更高的效率和灵活性。
  • 低导通电阻:3.9毫欧的低导通电阻意味着在高负载情况下具有极低的功耗。
  • 高工作温度范围:可在极端环境中稳定工作,适应广泛的应用场合。
  • 优秀的开关特性:阈值电压和栅极电荷的设定使得该器件在高速开关应用中表现出色。

五、总结

IRFR7446TRPBF作为一款高效、性能卓越的N沟道MOSFET,凭借其出色的电流和电压承载能力,广泛适用于各种电源管理和开关应用。英飞凌的技术和设计确保了该产品在激烈竞争市场中的领先地位。其适用的工作温度范围及低功耗特性,赋予其在汽车和工业自动化等领域的广泛适应性。通过选用IRFR7446TRPBF,工程师可以在保证性能的同时,实现更高的设计灵活性与功率效率。