FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 欧姆 @ 190mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 13µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 20.9pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSS119NH6327XTSA1 是一款来自英飞凌(Infineon)公司的 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),设计用于多种电子应用需求。其优异的性能参数使其成为自动化、消费电子和电源管理等领域的理想选择。以下是该器件更为详细的介绍。
BSS119NH6327XTSA1 MOSFET 适用于多种场景,包括但不限于:
BSS119NH6327XTSA1 的 N 通道设计在效率、功耗管理、热稳定性等方面表现出色。其低导通电阻和快速开关性能使其在电源转换和电流控制中表现尤为突出。此外,宽广的工作温度范围使得该 MOSFET 能够在极端环境下稳定工作,为设计者提供更大灵活性。
BSS119NH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用灵活性,适合于现代电子设计中的多种需求。英飞凌的品牌保证了其品质与可靠性,适合应用于需要高效电源管理和电流控制的场合。对于寻求高效、可靠解决方案的工程师和设计师而言,BSS119NH6327XTSA1 是一个值得信赖的选择。