注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRLMS2002TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23-6(Micro6)
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-6
库存 :
14900(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.86按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.86
--
100+
￥1.49
--
750+
￥1.33
--
1500+
￥1.27
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLMS2002TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1310pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro6™（SOT23-6） |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
IRLMS2002TRPBF手册
无数据
IRLMS2002TRPBF概述
IRLMS2002TRPBF 产品概述
概述
IRLMS2002TRPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计和制造是为了满足现代电子设备对高效能、高密度功率管理的需求。该器件以其卓越的电流能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，成为了各种电源管理和开关应用的理想选择。
主要参数
- FET类型: N沟道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 20V，可适用于要求较低电压的开关系统。
- 连续漏极电流（Id）: 25°C时可承受6.5A的电流，使其在高负载条件下仍然保持稳定。
- 驱动电压（Vgs）: 最小导通电压为2.5V，最大为4.5V，确保在低电压下依然能够达到良好导通。
- 导通电阻（Rds(on)）: 在6.5A和4.5V的条件下，最大导通电阻为30毫欧，这使得设备的功率损耗降到最低。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA下，最大阈值电压为1.2V，便于实现灵敏的开关控制。
- 栅极电荷（Qg）: 在5V驱动下，最大栅极电荷为22nC，有助于降低在高速开关时的开关损耗。
- 输入电容（Ciss）: 在15V条件下最大输入电容为1310pF，提供良好的信号完整性。
- 最大功率耗散: 该器件支持最大功率耗散为2W，确保在工作负载下的良好散热性能。
- 工作温度: 适用温度范围从-55°C到150°C，适合于各种严苛环境。
- 安装类型: 表面贴装型，方便集成于小型化电路。
- 封装: Micro6™（SOT-23-6），具有减少占用空间的优点，适宜于高集成度应用。
应用场景
IRLMS2002TRPBF的多种特点使其广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源和DC-DC转换器: 由于其低导通电阻和较高的电流能力，该 MOSFET在电源管理模块中得到了广泛应用，能够提高设备的整体效率和可靠性。
- 电机驱动电路: 该器件的快速切换特性使其适合用于电机驱动应用，尤其是在对控制精度要求较高的场合。
- LED驱动: 其高效的开关特性和较宽的工作电压范围使其成为 LED 驱动电路的理想选择。
- 信号开关: 在音频、视频或数据传输信号开关中也表现出良好的性能，能够有效降低信号损耗及失真。
结论
IRLMS2002TRPBF是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其强大的电流处理能力、低功耗特性和广泛的工作温度范围，被广泛应用于各种要求严格的电源管理、开关以及驱动电路中。其表面贴装设计和小型封装使其更适合于当今紧凑型电子设备的设计要求，进一步扩展了其在现代电子应用中的灵活性与适用性。
选择IRLMS2002TRPBF，将为您的电路设计提供强大的支持，确保您在追求高效能和高度集成的同时，获得卓越的电源管理解决方案。