制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V | 频率 - 跃迁 | 8GHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | 增益 | 13.5dB ~ 20.5dB |
功率 - 最大值 | 580mW | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 30mA,8V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80mA | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
供应商器件封装 | PG-SOT343-4 | 基本产品编号 | BFP193 |
制造商与基础信息
BFP193WH6327XTSA1 是由 Infineon Technologies 制造的一款高性能 NPN 型晶体管 (BJT),它专为高频信号处理和放大应用而设计。此产品以其优越的电气特性和高频响应而在电子行业中受到广泛关注。其包装形式为卷带(TR),便于在自动化生产线上使用。
主要参数
电压 - 集射极击穿(最大值): 该晶体管的最大集射极击穿电压为 12V。这意味着该器件可以在高达 12V 的电压下稳定工作,适应多种应用环境。
频率 - 跃迁: 最大跃迁频率可达 8GHz,这是该器件的一个核心优势。它能够用于超高频应用,如 RF 放大器和混频器等,有效提升电路的工作频率和效率。
噪声系数: BFP193 的噪声系数在频率 900MHz 到 1.8GHz 范围内表现出色,典型值为 1dB 到 1.6dB。这使得它在射频信号传输中具有较低的信号损失,能够提供清晰的信号输出,降低干扰。
增益: 该晶体管具有 13.5dB 至 20.5dB 的增益范围,能够有效地放大输入信号,确保输出信号的质量,并适用于多个放大场合。
功率 - 最大值: 最大功率为 580mW。这使得 BFP193 在功率限制内,能够处理较高的信号功率,广泛用于不同类型的放大器设计。
电流: 该器件的最大集电极电流 (Ic) 为 80mA,以及在 30mA 和 8V 条件下的直流电流增益 (hFE) 最小值为 70,表明其在各个运行条件下的稳定性和性能。
工作温度: BFP193 的工作温度可以达到 150°C(TJ),这一特性使得该晶体管在高温环境中仍能保持可靠性,适用于汽车、工业和其他严苛应用。
封装类型: 使用表面贴装型封装 (SOT-343),此种小型化设计便于电路板上的紧凑布局,适合空间受限的应用场合。
应用场景
BFP193 晶体管的特点使其特别适合以下几种应用场景:
射频通信: 由于其高频响应和优良的增益特性,该晶体管广泛应用于 RF 放大器和接收器中,能够有效增强信号强度,提高通信质量。
高性能放大器: 在音频和视频信号的处理与传输中,BFP193 提供了低噪声和高增益的特性,使其成为高保真音响设备和视频设备中的理想选择。
无线设备: 随着无线通信技术的快速发展,该器件在 Wi-Fi、蓝牙等短距离无线通信设备中,能够实现高传输速度和良好的信号质量。
汽车电子: 其高工作温度限制以及出色的耐用性,使 BFP193 成为汽车电子系统,如雷达和车载通信系统等应用的理想晶体管。
总结
BFP193WH6327XTSA1 是一款由 Infineon Technologies 研发的高性能 NPN 晶体管,凭借其卓越的频率响应、低噪声特性和高增益能力,成为多种电子应用的关键元件。其优越的电参数使其在射频通信、声音放大以及严格的汽车环境中表现出色,满足现代电子设备对高性能、高可靠性的需求。