RZR020P01TL
RZR020P01TL参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 770pF @ 6V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 封装/外壳 | SC-96 |
RZR020P01TL手册
RZR020P01TL概述
RZR020P01TL 产品概述
基本信息
RZR020P01TL 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），广泛应用于低电压和中电流电源管理和开关控制领域。该元件封装在 SC-96 封装中，采用表面贴装技术（SMD），具有出色的热导性能和紧凑的尺寸，适合各种电子设备的应用。
主要规格
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（MOS金属氧化物半导体）
- 漏源电压 (V_dss): 12V，表明该器件能够承受的最大漏极到源极电压。
- 连续漏极电流 (I_d): 25°C下可达到 2A 的连续漏极电流，适合多种应用场景。
- 驱动电压: 在不同的栅源电压下，该器件具有不同的导通电阻（R_ds On），在 1.5V 时达到最低值，最大值为 4.5V，具体的导通电阻为 105 毫欧 @ 2A，4.5V。
核心特性
导通阻抗与电流特性: RZR020P01TL 在 4.5V 驱动电压下，以 2A 的连续漏极电流运行时，其导通电阻为最大 105 毫欧，这意味着它在高效能和热管理方面表现出色。较低的导通电阻有助于减少电源损耗，提高整体系统的能效。
开启电压特性: 器件的开启电压 (V_gs(th)) 最大为 1V @ 1mA，这提供了良好的兼容性，能够与低电压控制信号有效协作，从而在不同的工作状态下保持稳定的性能。
栅极电荷: 栅极电荷 (Q_g) 的最大值为 6.5nC @ 4.5V，显示出该器件有较快的开关速度，适用于快速开关应用，有助于提升系统的响应能力和效率。
输入电容: 输入电容 (C_iss) 在最大值 770pF @ 6V，较大的输入电容意味着控制信号需要适当的驱动能力，以确保快速的开关响应。
温度与功率管理: RZR020P01TL 的最大功率耗散为 1W（Ta），运行温度范围高达 150°C（T_J），使其能够在恶劣环境下保持正常工作，适合汽车、工业控制和消费电子等高温应用领域。
应用范围
RZR020P01TL MOSFET 的特性使其广泛应用于以下领域：
- 电源管理：用于关断/接通电源管理，适合降压转换电路和逆变器。
- 开关控制：适用于电机驱动和PWM调速电路，可实现低损耗的开关控制。
- 过功率保护：电源保护电路中，采用 RZR020P01TL 可为电路提供快速响应的过流保护。
小结
综上所述，RZR020P01TL 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，凭借其优异的性能指标和稳健的工作特性，成为了现代电子设备中不可或缺的重要元器件。其多样的应用领域和极高的适应性使其在电源管理、开关控制等关键场景中能够有效发挥作用。伴随着电子技术的快速发展，相信RZR020P01TL将继续在各类产品中展示其卓越的性能，为半导体行业带来更高的效率和更好的用户体验。