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STF20NF20
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.48g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 200V 18A 1个N沟道 TO-220FPAB-3
库存 :
59(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
6.87按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.87
--
100+
￥5.49
--
1000+
￥5.09
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF20NF20参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 940pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF20NF20手册
无数据
STF20NF20概述
产品概述：STF20NF20 N通道MOSFET
一、产品简介
STF20NF20是一款高性能的N通道MOSFET，专为能够处理高电压和高电流而设计，具有200V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）。该器件的典型应用包括电源开关、DC-DC转换器、马达驱动和其他需要高效功率传输的电路设计。同时，其优异的导通电阻和栅驱动特性，使其在高频开关和高效能系统中表现出色。
二、技术参数
- FET类型：N通道
- 技术：金属氧化物场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）：最大200V，适应大多数中高压应用。
- 连续漏极电流（Id）：18A @ 25°C，确保器件在高温环境下的稳定性。
- 导通电阻（Rds On）：最大125毫欧 @ 10A, 10V，低导通电阻有助于降低功率损耗和提升效率。
- 栅源驱动电压（Vgs）：最大±20V，提供灵活的驱动选择。
- 栅极开启电压（Vgs(th)）：最大4V @ 250µA，适用于低电压驱动应用。
- 栅极电荷（Qg）：最大39nC @ 10V，表明其在驱动时的快速响应。
- 输入电容（Ciss）：最大940pF @ 25V，保证器件能够在高频下稳定工作。
- 功率耗散（Pd）：最大30W（Tc）在高负载条件下可靠工作。
- 工作温度范围：-55°C至175°C，适合于严苛环境的应用。
三、封装和安装
STF20NF20采用TO-220FP封装，便于散热和安装。TO-220是一个广泛使用的封装，适合于需要良好热管理的应用场合。其通孔安装设计使得ASICS和电源模块的集成变得更加便捷。
四、应用领域
- 电源管理：在开关电源和线性电源中，此MOSFET可以作为转接开关元件，能够有效地转换大功率电流，同时减少能量损失。
- DC-DC转换器：STF20NF20在升压和降压转换器中广泛应用，能够实现高效的能量转换。
- 电机驱动：此器件适用于电动机控制电路，与PWM（脉宽调制）信号结合使用，实现高效电机驱动。
- 消费电子：在LED驱动、电池管理系统等消费电子产品中，此MOSFET可以辅助实现高效的电源控制。
五、竞争优势
STF20NF20的竞争优势在于其高压和高效率，同时它的宽工作温度范围使得该器件能够适用于多种恶劣的工作环境。其低导通电阻和快速开关能力使得在提升电路的效率和减少热量生成方面均具有显著优势。此外，由于其制造商ST（意法半导体）在电子元件领域的良好声誉，用户在采购时可充分信赖其产品的质量与性能。
六、总结
STF20NF20是一款出色的N通道MOSFET，结合了高电压、高电流能力与优异的热处理性能，非常适合各类高效能电源与驱动应用。凭借其高性价比、优秀的电气性能以及广泛的适用性，STF20NF20在现代电子设计中成为了理想选择。无论是工业应用还是消费者产品，这款MOSFET都能够帮助工程师们实现更高的性能和更低的能耗。