制造商 | Infineon Technologies | 系列 | SIPMOS® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 620mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 800 毫欧 @ 620mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 160µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SC-59 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 176pF @ 25V |
BSR315PH6327XTSA1 是一款由英飞凌科技(Infineon Technologies)制造的高性能 P 通道 MOSFET,属于其 SIPMOS® 系列。这款器件专为高效能和低功耗应用而设计,能够在多种环境下稳定工作,适合广泛的电子应用,包括电源管理、马达驱动以及其他需要快速开关的场合。
BSR315PH6327XTSA1 使用 SC59-3 表面贴装封装,具备紧凑设计,易于集成到现代电路板中。这种封装形式使得焊接过程更为简易,适合自动化贴装流程,并且有效节省空间,满足小型化电路设计的需求。
BSR315PH6327XTSA1 MOSFET 适用于多种应用场景,包括:
总的来说,BSR315PH6327XTSA1 是一款高度集成的 P 通道 MOSFET,结合高效能和可靠性,适合多样化的电子产品设计。其优异的电气特性、紧凑的封装设计和较宽的工作温度范围,使其成为现代电子应用中十分理想的选择。针对需要高效、可靠和灵活设计的开发者而言,BSR315PH6327XTSA1 提供了出色的解决方案。