注：图像仅供参考，请参阅产品规格
BSP89H6327XTSA1
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 240V 350mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
1576(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.76按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.76
--
50+
￥1.36
--
1000+
￥1.13
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
BSP89H6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 240V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 350mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 108µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP89H6327XTSA1手册
无数据
BSP89H6327XTSA1概述
产品概述：BSP89H6327XTSA1
一、简介
BSP89H6327XTSA1是一款高性能的N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）出品。该器件以其卓越的电性能和广泛的适用性，成为各类电子电路中的重要组成部分，尤其适合高压开关和功率控制的应用场景。
二、主要参数
BSP89H6327XTSA1的基本参数如下：
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（基于金属氧化物技术）
- 漏源电压（Vdss）：最大240V
- 连续漏极电流（Id）：350mA（在25°C环境温度下）
- 导通电压（Vgs）：支持4.5V至10V的驱动电压，确保优良的开关性能
- 最大导通电阻：在10V和350mA时，最大导通电阻为6欧姆
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大1.8V（在108μA测量的情况下）
- 栅极电荷（Qg）：最大6.4nC（在10V下测得）
- 栅源电压（Vgs）：最大±20V
- 输入电容（Ciss）：在25V下最大为140pF
- 功率耗散：最大为1.8W
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 外壳封装类型：PG-SOT223-4及其他封装如TO-261-4和TO-261AA
三、应用领域
BSP89H6327XTSA1在多个领域内展现出极强的适应性。其主要应用包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、线性稳压器及直流-直流转换器中，可以作为高侧或低侧开关，极大地提高能效。
- 功率放大：在音频和射频放大电路中起到信号放大和控制的作用。
- 电动机控制：应用在电动机驱动电路中，可用于调速、启停及反向等控制。
- LED驱动：在LED照明解决方案中，可以用来稳定输出电流，提供更好的色彩还原度。
- 汽车电子：在汽车的电源管理、负载控制及智能能源系统中，也有着广泛的应用。
四、技术优势
- 高压性能：BSP89H6327XTSA1具备240V的高漏源电压能力，适合高压应用，更加安全稳定。
- 低导通电阻：6欧姆的导通电阻确保了低能量损耗，适应要求高效率的电源线路。
- 宽工作温度范围：设备能够在-55°C至150°C范围内稳定工作，适合各种环境条件。
- 小型封装：采用SOT-223封装，减小占板面积，便于表面贴装和自动化生产，提高生产效率。
五、结论
综上所述，BSP89H6327XTSA1是一款优秀的N通道MOSFET，其高效能和出色的电性能使其在现代电子设备中得到了广泛的应用。英飞凌作为行业领军企业，其产品在设计与制造上均经过严格把控，确保了BSP89H6327XTSA1具有可靠的性能和长久的使用寿命。对于电源管理、功率放大、电动机控制等领域的设计师而言，BSP89H6327XTSA1无疑是一个值得信赖的选择。